창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STU6N65M2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | ST(F,P,U)6N65M2 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | MDmesh™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.35옴 @ 2A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 9.8nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 226pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 60W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-251-3 짧은 리드(Lead), IPak, TO-251AA | |
공급 장치 패키지 | IPAK(TO-251) | |
표준 포장 | 75 | |
다른 이름 | 497-15044-5 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STU6N65M2 | |
관련 링크 | STU6N, STU6N65M2 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
![]() | P1172.472NLT | 4.7µH Shielded Wirewound Inductor 7.9A 9.5 mOhm Max Nonstandard | P1172.472NLT.pdf | |
![]() | CMF55110K00FKEA70 | RES 110K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF55110K00FKEA70.pdf | |
![]() | 0402X8 33R J | 0402X8 33R J ORIGINAL SMD | 0402X8 33R J.pdf | |
![]() | AFD3-080180-20P | AFD3-080180-20P MITEQ SMA | AFD3-080180-20P.pdf | |
![]() | R5408N185KJ-TR-FF | R5408N185KJ-TR-FF RICOH SOT23-5 | R5408N185KJ-TR-FF.pdf | |
![]() | 51R0F | 51R0F IRC SSOP-24 | 51R0F.pdf | |
![]() | CAT5114VI-50 | CAT5114VI-50 CSI SOP8 | CAT5114VI-50.pdf | |
![]() | A8095925SV812 | A8095925SV812 Intel SMD or Through Hole | A8095925SV812.pdf | |
![]() | LTGZ | LTGZ LT MSOP8 | LTGZ.pdf | |
![]() | 7160-30 | 7160-30 MIDCOM SOP | 7160-30.pdf | |
![]() | CC4-100V-30P-J | CC4-100V-30P-J ORIGINAL SMD or Through Hole | CC4-100V-30P-J.pdf | |
![]() | TGSP-NOK1NX | TGSP-NOK1NX HALO SMD or Through Hole | TGSP-NOK1NX.pdf |