창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STU5N62K3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STx5N62K3 | |
기타 관련 문서 | STU5N62K3 View All Specifications | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | SuperMESH3™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 620V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.2A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.6옴 @ 2.1A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 50µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 26nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 680pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 70W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-251-3 짧은 리드(Lead), IPak, TO-251AA | |
공급 장치 패키지 | I-Pak | |
표준 포장 | 75 | |
다른 이름 | 497-12366 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STU5N62K3 | |
관련 링크 | STU5N, STU5N62K3 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
ESY107M050AG3AA | 100µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can 74 mOhm @ 100kHz 3000 Hrs @ 105°C | ESY107M050AG3AA.pdf | ||
C0805C821F3GACTU | 820pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C0805C821F3GACTU.pdf | ||
0858 002 U2J0 430 JLF | 43pF 세라믹 커패시터 U2J | 0858 002 U2J0 430 JLF.pdf | ||
SIT3807AI-2-28NM | 1.544MHz ~ 49.152MHz LVCMOS, LVTTL MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 2.8V 33mA | SIT3807AI-2-28NM.pdf | ||
M34C02-RDW6T | M34C02-RDW6T ST SMD or Through Hole | M34C02-RDW6T.pdf | ||
LF398MX(PBFREE) | LF398MX(PBFREE) NS SMD or Through Hole | LF398MX(PBFREE).pdf | ||
S-29230AFJ-NW | S-29230AFJ-NW SII SMD or Through Hole | S-29230AFJ-NW.pdf | ||
SMC2-200-18R0-G-LF | SMC2-200-18R0-G-LF IRC SMD | SMC2-200-18R0-G-LF.pdf | ||
RH2E336M12020NL180 | RH2E336M12020NL180 SAMWHA SMD or Through Hole | RH2E336M12020NL180.pdf | ||
F2116BG20V H8S/2116V | F2116BG20V H8S/2116V ORIGINAL CCXH | F2116BG20V H8S/2116V.pdf | ||
WB1H226M05011BB280 | WB1H226M05011BB280 SAMWHA SMD or Through Hole | WB1H226M05011BB280.pdf |