창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STU150N3LLH6 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STx150N3LLH6 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | DeepGATE™, STripFET™ VI | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.3m옴 @ 40A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 40nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4040pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 110W | |
| 작동 온도 | 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-251-3 짧은 리드(Lead), IPak, TO-251AA | |
| 공급 장치 패키지 | I-Pak | |
| 표준 포장 | 75 | |
| 다른 이름 | 497-12693-5 STU150N3LLH6-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STU150N3LLH6 | |
| 관련 링크 | STU150N, STU150N3LLH6 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | CGA2B1C0G2A681J050BC | 680pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | CGA2B1C0G2A681J050BC.pdf | |
![]() | RSF12GB10R0 | RES MO 1/2W 10 OHM 2% AXIAL | RSF12GB10R0.pdf | |
![]() | MBB02070C7501DRP00 | RES 7.5K OHM 0.6W 0.5% AXIAL | MBB02070C7501DRP00.pdf | |
![]() | LM1940-12 | LM1940-12 NS TO-220 | LM1940-12.pdf | |
![]() | 101ATK63 | 101ATK63 ORIGINAL DIP | 101ATK63.pdf | |
![]() | P0603Y1001BN | P0603Y1001BN VISHAY SMD or Through Hole | P0603Y1001BN.pdf | |
![]() | LLZ3V0A | LLZ3V0A Micro MINIMELF | LLZ3V0A.pdf | |
![]() | 2465AI. | 2465AI. TI TSSOP16 | 2465AI..pdf | |
![]() | MAX4169ESD+T | MAX4169ESD+T MAXIM NA | MAX4169ESD+T.pdf | |
![]() | 553-0002-837F | 553-0002-837F TYCO SMD or Through Hole | 553-0002-837F.pdf | |
![]() | LUWCN7N-KYLX-EMKM | LUWCN7N-KYLX-EMKM OSRAM LED | LUWCN7N-KYLX-EMKM.pdf | |
![]() | SDA22315 | SDA22315 sie SMD or Through Hole | SDA22315.pdf |