창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STU150N3LLH6 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STx150N3LLH6 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | DeepGATE™, STripFET™ VI | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.3m옴 @ 40A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 40nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4040pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 110W | |
| 작동 온도 | 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-251-3 짧은 리드(Lead), IPak, TO-251AA | |
| 공급 장치 패키지 | I-Pak | |
| 표준 포장 | 75 | |
| 다른 이름 | 497-12693-5 STU150N3LLH6-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STU150N3LLH6 | |
| 관련 링크 | STU150N, STU150N3LLH6 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0603D111JXBAT | 110pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D111JXBAT.pdf | |
![]() | RG1608P-4750-P-T1 | RES SMD 475 OHM 0.02% 1/10W 0603 | RG1608P-4750-P-T1.pdf | |
![]() | LTC3300UK-1 | LTC3300UK-1 LINEAR QFN48 | LTC3300UK-1.pdf | |
![]() | 221KD40 | 221KD40 ORIGINAL SMD or Through Hole | 221KD40.pdf | |
![]() | M16G45A | M16G45A ORIGINAL TO-220 | M16G45A.pdf | |
![]() | APM4295 | APM4295 AP SMD or Through Hole | APM4295.pdf | |
![]() | CY7C199C-12VXC | CY7C199C-12VXC CY SOJ | CY7C199C-12VXC.pdf | |
![]() | BFPTRW | BFPTRW ORIGINAL SMD | BFPTRW.pdf | |
![]() | M5LB212P | M5LB212P MITSUBIS DIP | M5LB212P.pdf | |
![]() | BMK400S (6200VJT001A) | BMK400S (6200VJT001A) SMIED PB-FREE | BMK400S (6200VJT001A).pdf | |
![]() | 7N10G TO-252 | 7N10G TO-252 UTC SMD or Through Hole | 7N10G TO-252.pdf | |
![]() | GU10-6.5W-5000K40D | GU10-6.5W-5000K40D ACTEC SMD or Through Hole | GU10-6.5W-5000K40D.pdf |