창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STU11N65M2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | ST(D, P, U)11N65M2 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ II Plus | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 670m옴 @ 3.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12.5nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 410pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 85W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-251-3 짧은 리드(Lead), IPak, TO-251AA | |
| 공급 장치 패키지 | IPAK(TO-251) | |
| 표준 포장 | 75 | |
| 다른 이름 | 497-15043-5 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STU11N65M2 | |
| 관련 링크 | STU11N, STU11N65M2 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | RT1206BRD0766R5L | RES SMD 66.5 OHM 0.1% 1/4W 1206 | RT1206BRD0766R5L.pdf | |
![]() | RNF12DTD143R | RES 143 OHM 1/2W .5% AXIAL | RNF12DTD143R.pdf | |
![]() | T3506100 | T3506100 AMPHENOL ORIGINAL | T3506100.pdf | |
![]() | MPD6S010 | MPD6S010 ORIGINAL SIP-15P | MPD6S010.pdf | |
![]() | MP6400DJ-33 | MP6400DJ-33 MPS SOT23-6 | MP6400DJ-33.pdf | |
![]() | GL850G-OHG | GL850G-OHG Genesys QFN-28 | GL850G-OHG.pdf | |
![]() | hd63 | hd63 HITACHI DIP40 | hd63.pdf | |
![]() | LTC1558CS8-5 | LTC1558CS8-5 LT SOP8 | LTC1558CS8-5.pdf | |
![]() | LSDAT43S200 | LSDAT43S200 ORIGINAL SMD or Through Hole | LSDAT43S200.pdf | |
![]() | 2SB709A-R-TX | 2SB709A-R-TX PAI SOT | 2SB709A-R-TX.pdf | |
![]() | S11MS2 | S11MS2 SHARP SOP4 | S11MS2.pdf | |
![]() | HM1-65162C/883Q | HM1-65162C/883Q ORIGINAL CDIP24 | HM1-65162C/883Q.pdf |