창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STTH12R06G-TR | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STTH12R06 | |
기타 관련 문서 | STTH12R06 View All Specifications | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1548 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 표준 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 600V | |
전류 -평균 정류(Io) | 12A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 2.9V @ 12A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | 45ns | |
전류 - 역누설 @ Vr | 45µA @ 600V | |
정전 용량 @ Vr, F | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
작동 온도 - 접합 | 175°C(최대) | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | 497-5253-2 STTH12R06GTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STTH12R06G-TR | |
관련 링크 | STTH12R, STTH12R06G-TR 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
![]() | 885012007031 | 33pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | 885012007031.pdf | |
30302500001 | FUSE BRD MNT 250MA 125VAC 63VDC | 30302500001.pdf | ||
![]() | 160R-224GS | 220µH Unshielded Inductor 70mA 28 Ohm Max 2-SMD | 160R-224GS.pdf | |
![]() | EVALED7707 | EVALED7707 ORIGINAL SMD or Through Hole | EVALED7707.pdf | |
![]() | 28.6363MHZ | 28.6363MHZ tse SMD or Through Hole | 28.6363MHZ.pdf | |
![]() | 4A12P-506-500LF | 4A12P-506-500LF bourns DIP | 4A12P-506-500LF.pdf | |
![]() | P2005A_A | P2005A_A MONEFTX QFP | P2005A_A.pdf | |
![]() | TV5627 | TV5627 TI SMD16 | TV5627.pdf | |
![]() | QFN-72BT-0.4-001 | QFN-72BT-0.4-001 ENPLAS SMD or Through Hole | QFN-72BT-0.4-001.pdf | |
![]() | USP0H0R1MDD1TD | USP0H0R1MDD1TD NICHICON DIP | USP0H0R1MDD1TD.pdf | |
![]() | NMC6504J/883 | NMC6504J/883 NS DIP-18 | NMC6504J/883.pdf | |
![]() | 7000-99033-0000000 | 7000-99033-0000000 MURR SMD or Through Hole | 7000-99033-0000000.pdf |