창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STS8DNF3LL | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STS8DNF3LL | |
| 기타 관련 문서 | STS8DNF3LL View All Specifications | |
| 카탈로그 페이지 | 1538 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | STripFET™ II | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 20m옴 @ 4A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 17nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 800pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 1.6W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SO | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | 497-2470-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STS8DNF3LL | |
| 관련 링크 | STS8DN, STS8DNF3LL 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | P6SMB75CA-M3/52 | TVS DIODE 64.1VWM 103VC DO-214AA | P6SMB75CA-M3/52.pdf | |
![]() | 4379R-472HS | 4.7µH Shielded Inductor 300mA 540 mOhm Max 2-SMD | 4379R-472HS.pdf | |
![]() | MNR04M0ABJ820 | RES ARRAY 4 RES 82 OHM 0804 | MNR04M0ABJ820.pdf | |
![]() | 272J | 272J WNSIN SMD0805 | 272J.pdf | |
![]() | TIP134 | TIP134 NS DIP SOP | TIP134.pdf | |
![]() | AR2W227M30035LG131 | AR2W227M30035LG131 SAMWHA SMD or Through Hole | AR2W227M30035LG131.pdf | |
![]() | 1210 1% 20K | 1210 1% 20K SUPEROHM SMD or Through Hole | 1210 1% 20K.pdf | |
![]() | VCXO287B2048 | VCXO287B2048 ILSI SMD or Through Hole | VCXO287B2048.pdf | |
![]() | 860040R1 | 860040R1 SEIE SMD or Through Hole | 860040R1.pdf | |
![]() | LXV10VB82RM5X11LL | LXV10VB82RM5X11LL NIPPON DIP | LXV10VB82RM5X11LL.pdf | |
![]() | XC74UH125AAMR | XC74UH125AAMR TOREX SOT23-5 | XC74UH125AAMR.pdf |