창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STS8DN3LLH5 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STS8DN3LLH5 | |
기타 관련 문서 | STS8DN3LLH5 View All Specifications | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | STripFET™ V | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 19m옴 @ 5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 5.4nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 724pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 2.7W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | 497-10391-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STS8DN3LLH5 | |
관련 링크 | STS8DN, STS8DN3LLH5 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
![]() | 885012107017 | 3.3µF 25V 세라믹 커패시터 X5R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | 885012107017.pdf | |
![]() | DM80-01-1-9250-3-LC | MOD LASER DWDM 100GHZ 120KM | DM80-01-1-9250-3-LC.pdf | |
![]() | AT24C08-10PI-2.7 | AT24C08-10PI-2.7 AT DIP-8 | AT24C08-10PI-2.7.pdf | |
![]() | B3J-2400 | B3J-2400 OMRON SMD or Through Hole | B3J-2400.pdf | |
![]() | SE4604N(SE130) | SE4604N(SE130) SANKEN TO-220 | SE4604N(SE130).pdf | |
![]() | 286999 | 286999 ORIGINAL BGA | 286999.pdf | |
![]() | CY7C256-70WI | CY7C256-70WI CY DIP | CY7C256-70WI.pdf | |
![]() | MM27C1001-15Z | MM27C1001-15Z FUJ CDIP-32 | MM27C1001-15Z.pdf | |
![]() | 5.8*4.5 151 | 5.8*4.5 151 ORIGINAL SMD or Through Hole | 5.8*4.5 151.pdf | |
![]() | K7Z163688BHC35 | K7Z163688BHC35 SAM BGA | K7Z163688BHC35.pdf | |
![]() | XC3SD1800A-4FGG676 | XC3SD1800A-4FGG676 XIL FBGA676 | XC3SD1800A-4FGG676.pdf | |
![]() | MN66747RPHAL | MN66747RPHAL PAN TQFP10 | MN66747RPHAL.pdf |