창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STS6NF20V | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STS6NF20V | |
| 기타 관련 문서 | STS6NF20V View All Specifications | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | STripFET™ II | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 2.5V 구동 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 40m옴 @ 3A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 600mV @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 11.5nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 460pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 2.5W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SO | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | 497-12679-2 STS6NF20V-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STS6NF20V | |
| 관련 링크 | STS6N, STS6NF20V 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | ERJ-L08UF57MV | RES SMD 0.057 OHM 1% 1/3W 1206 | ERJ-L08UF57MV.pdf | |
![]() | NFR2500001002JR500 | RES 10K OHM 1/3W 5% AXIAL | NFR2500001002JR500.pdf | |
![]() | H875KFDA | RES 75.0K OHM 1/4W 1% AXIAL | H875KFDA.pdf | |
![]() | MAX2010ETI-T | RF IC RF Predistorter CDMA2000, GSM/EDGE 500MHz ~ 1.1GHz Up to 12dB ACPR Improvement 28-TQFN (5x5) | MAX2010ETI-T.pdf | |
![]() | C320C122J2G5TA | C320C122J2G5TA kemet DIP | C320C122J2G5TA.pdf | |
![]() | BSP3505D A2 | BSP3505D A2 MICRONAS DIP-64 | BSP3505D A2.pdf | |
![]() | G1119K | G1119K ORIGINAL BGA | G1119K.pdf | |
![]() | MSM6920GS-2K | MSM6920GS-2K OKI SMD or Through Hole | MSM6920GS-2K.pdf | |
![]() | 0603X7R3300PF50V | 0603X7R3300PF50V ORIGINAL SMD | 0603X7R3300PF50V.pdf | |
![]() | DS1230AB-200 IND | DS1230AB-200 IND DALLAS DIP | DS1230AB-200 IND.pdf | |
![]() | OX16C954-TQA1G | OX16C954-TQA1G OXFORD SMD or Through Hole | OX16C954-TQA1G.pdf |