창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STS5N15F4 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STS5N15F4 | |
| 기타 관련 문서 | STS5N15F4 View All Specifications | |
| 카탈로그 페이지 | 1538 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | DeepGATE™, STripFET™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 63m옴 @ 2.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 48nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2710pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 2.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SO | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | 497-10106-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STS5N15F4 | |
| 관련 링크 | STS5N, STS5N15F4 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | E80D6R3VNN473AA40T | CAP ALUM 47000UF 6.3V RADIAL | E80D6R3VNN473AA40T.pdf | |
![]() | CR0603-JW-221ELF | RES SMD 220 OHM 5% 1/10W 0603 | CR0603-JW-221ELF.pdf | |
![]() | TNPW25121K20BEEG | RES SMD 1.2K OHM 0.1% 1/2W 2512 | TNPW25121K20BEEG.pdf | |
![]() | CMF553K6500BEEB | RES 3.65K OHM 1/2W .1% AXIAL | CMF553K6500BEEB.pdf | |
![]() | TN80C186EB-13 | TN80C186EB-13 INT PLCC | TN80C186EB-13.pdf | |
![]() | 430-01040-101 | 430-01040-101 ORIGINAL SMD | 430-01040-101.pdf | |
![]() | TM675173U | TM675173U FUJI DIP42 | TM675173U.pdf | |
![]() | DBME-9W4P | DBME-9W4P ITT SMD or Through Hole | DBME-9W4P.pdf | |
![]() | LTV-817M (GREEN) | LTV-817M (GREEN) LITE-ON SMD or Through Hole | LTV-817M (GREEN).pdf | |
![]() | M51257CLL10 | M51257CLL10 MITSUBSHI SMD or Through Hole | M51257CLL10.pdf | |
![]() | HK1005-5N1S | HK1005-5N1S ORIGINAL O402 | HK1005-5N1S.pdf |