창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STS5N15F3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STS5N15F3 | |
| 카탈로그 페이지 | 1538 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | STripFET™ III | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 57m옴 @ 2.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 29nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1300pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 2.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SO | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | 497-8903-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STS5N15F3 | |
| 관련 링크 | STS5N, STS5N15F3 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | MAL214255103E3 | 10000µF 16V Aluminum Capacitors Radial, Can 2500 Hrs @ 105°C | MAL214255103E3.pdf | |
![]() | MAL209353271E3 | 270µF 250V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 400 mOhm @ 120Hz 2000 Hrs @ 85°C | MAL209353271E3.pdf | |
![]() | DS1200HE-3-003 | AC/DC CONVERTER 12V 1200W | DS1200HE-3-003.pdf | |
![]() | LS4D18-3R3-RN | LS4D18-3R3-RN ICE NA | LS4D18-3R3-RN.pdf | |
![]() | DP200A 2123XST.GN | DP200A 2123XST.GN SUNON SMD or Through Hole | DP200A 2123XST.GN.pdf | |
![]() | LC8798 | LC8798 INTEL DIP | LC8798.pdf | |
![]() | CLA70033CG | CLA70033CG ORIGINAL PLCC | CLA70033CG.pdf | |
![]() | LCDISCO | LCDISCO LCD QFP | LCDISCO.pdf | |
![]() | CGB4B1JB1A335K055AC | CGB4B1JB1A335K055AC TDK SMD or Through Hole | CGB4B1JB1A335K055AC.pdf | |
![]() | AT5215 1.8KER | AT5215 1.8KER IAT SMD or Through Hole | AT5215 1.8KER.pdf | |
![]() | HEF4051BTG | HEF4051BTG NXP SMD | HEF4051BTG.pdf | |
![]() | MUR860P2 | MUR860P2 FSC TO220 | MUR860P2.pdf |