창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STS2DPF80 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STS2DPF80 | |
| 카탈로그 페이지 | 1539 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | STripFET™ | |
| 포장 | 컷 테이프(CT) | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | 2 P-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 250m옴 @ 1A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 739pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 2.5W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SO | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | 497-8040-1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STS2DPF80 | |
| 관련 링크 | STS2D, STS2DPF80 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | 1812J5000104KXT | 0.10µF 500V 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | 1812J5000104KXT.pdf | |
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| IRF840LC | MOSFET N-CH 500V 8A TO-220AB | IRF840LC.pdf | ||
![]() | 2SK1087MR | 2SK1087MR FUJI TO-220 | 2SK1087MR.pdf | |
![]() | B668 | B668 ORIGINAL TO-3P | B668.pdf | |
![]() | 35PE20 | 35PE20 ST SOP8 | 35PE20.pdf | |
![]() | 1721531-3 | 1721531-3 TE SMD or Through Hole | 1721531-3.pdf | |
![]() | RJK2557DPA-00-J0 | RJK2557DPA-00-J0 ORIGINAL QFN8 | RJK2557DPA-00-J0.pdf | |
![]() | NJM2903MM-TE3 | NJM2903MM-TE3 JRC SMD or Through Hole | NJM2903MM-TE3.pdf | |
![]() | 2035-6368-00 | 2035-6368-00 M/A-COM SMD or Through Hole | 2035-6368-00.pdf | |
![]() | NL17SV08XV5T | NL17SV08XV5T ONS SMD or Through Hole | NL17SV08XV5T.pdf |