창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STS15N4LLF3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STS15N4LLF3 | |
| 카탈로그 페이지 | 1538 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | STripFET™ | |
| 포장 | 컷 테이프(CT) | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 15A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5m옴 @ 7.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 28nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2530pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 2.7W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SO | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | 497-8488-1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STS15N4LLF3 | |
| 관련 링크 | STS15N, STS15N4LLF3 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | 865060657012 | 220µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 5000 Hrs @ 105°C | 865060657012.pdf | |
![]() | 05083C223MAT2V | 0.022µF 25V 세라믹 커패시터 X7R 0508(1220 미터법) 0.050" L x 0.079" W(1.27mm x 2.00mm) | 05083C223MAT2V.pdf | |
![]() | SML4742-E3/61 | DIODE ZENER 12V 1W DO214AC | SML4742-E3/61.pdf | |
![]() | ERJ-6ENF6043V | RES SMD 604K OHM 1% 1/8W 0805 | ERJ-6ENF6043V.pdf | |
![]() | BA6951FS | BA6951FS ROHM SMD or Through Hole | BA6951FS.pdf | |
![]() | STS5N15M3 | STS5N15M3 ST TPC | STS5N15M3.pdf | |
![]() | G86-625-A2 | G86-625-A2 nVIDIA BGA | G86-625-A2.pdf | |
![]() | RW13X70A821JB23 | RW13X70A821JB23 VISHAY SMD or Through Hole | RW13X70A821JB23.pdf | |
![]() | D703102A-W14 | D703102A-W14 NEC TQFP144 | D703102A-W14.pdf | |
![]() | EM-45B-P | EM-45B-P ORIGINAL SMD or Through Hole | EM-45B-P.pdf | |
![]() | OS-SS-112DM | OS-SS-112DM ORIGINAL DIP | OS-SS-112DM.pdf | |
![]() | RT9166-25CVCVL | RT9166-25CVCVL RT SOT23 | RT9166-25CVCVL.pdf |