창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STS15N4LLF3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STS15N4LLF3 | |
| 카탈로그 페이지 | 1538 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | STripFET™ | |
| 포장 | 컷 테이프(CT) | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 15A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5m옴 @ 7.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 28nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2530pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 2.7W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SO | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | 497-8488-1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STS15N4LLF3 | |
| 관련 링크 | STS15N, STS15N4LLF3 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | SZBZX84C15LT3G | DIODE ZENER 15V 250MW SOT23-3 | SZBZX84C15LT3G.pdf | |
![]() | CRCW060393K1FKEA | RES SMD 93.1K OHM 1% 1/10W 0603 | CRCW060393K1FKEA.pdf | |
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![]() | P51-200-S-G-D-4.5V-000-000 | Pressure Sensor 200 PSI (1378.95 kPa) Sealed Gauge Male - 1/8" (3.18mm) NPT 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-200-S-G-D-4.5V-000-000.pdf | |
![]() | 2000V/2.2nF/1812 | 2000V/2.2nF/1812 HEC 1812 | 2000V/2.2nF/1812.pdf | |
![]() | MAX2530EGI+ | MAX2530EGI+ MAXIM QFN | MAX2530EGI+.pdf | |
![]() | L5A9286/UF/OPNQ/FA | L5A9286/UF/OPNQ/FA LSI QFP | L5A9286/UF/OPNQ/FA.pdf | |
![]() | DS1501YZN+TR | DS1501YZN+TR MAX SMD or Through Hole | DS1501YZN+TR.pdf | |
![]() | DA28F640J5C150 | DA28F640J5C150 ORIGINAL SMD or Through Hole | DA28F640J5C150.pdf | |
![]() | MB81C71A-35P | MB81C71A-35P FUJITSU DIP22 | MB81C71A-35P.pdf | |
![]() | TLG370 | TLG370 TOSH SMD or Through Hole | TLG370.pdf |