창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STS14N3LLH5 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STS14N3LLH5 | |
| 카탈로그 페이지 | 1538 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | STripFET™ V | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 14A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6m옴 @ 7A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1500pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 2.7W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SO | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | 497-7027-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STS14N3LLH5 | |
| 관련 링크 | STS14N, STS14N3LLH5 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | 425F39E016M0000 | 16MHz ±30ppm 수정 20pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 425F39E016M0000.pdf | |
![]() | CW01024R00JE73HS | RES 24 OHM 13W 5% AXIAL | CW01024R00JE73HS.pdf | |
![]() | JRC119T | JRC119T JRC CAN | JRC119T.pdf | |
![]() | GIC75227-1 | GIC75227-1 ORIGINAL DIP-20 | GIC75227-1.pdf | |
![]() | ST1412 | ST1412 ST DIP8 | ST1412.pdf | |
![]() | TMS/0091 | TMS/0091 FCI SMD or Through Hole | TMS/0091.pdf | |
![]() | SAA1101D | SAA1101D PHILIPS DIP-28 | SAA1101D.pdf | |
![]() | LC6528N-4F50-E | LC6528N-4F50-E SANYO SOP | LC6528N-4F50-E.pdf | |
![]() | CY27H512-70JC | CY27H512-70JC CYP Call | CY27H512-70JC.pdf | |
![]() | HAT1126R-EL-E | HAT1126R-EL-E RENESAS SOP-8 | HAT1126R-EL-E.pdf |