창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STS12N3LLH5 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STS12N3LLH5 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | STripFET™ V | |
| 포장 | 컷 테이프(CT) | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.5m옴 @ 6A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1290pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 2.7W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SO | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | 497-12346-1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STS12N3LLH5 | |
| 관련 링크 | STS12N, STS12N3LLH5 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | S0402-6N8J2B | 6.8nH Unshielded Wirewound Inductor 600mA 100 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | S0402-6N8J2B.pdf | |
![]() | ICA406STG | ICA406STG M SMD or Through Hole | ICA406STG.pdf | |
![]() | TC1410EPA | TC1410EPA MICROCHIP SMD or Through Hole | TC1410EPA.pdf | |
![]() | 0402B822K250CG | 0402B822K250CG ORIGINAL SMD or Through Hole | 0402B822K250CG.pdf | |
![]() | 630V334J | 630V334J ORIGINAL SMD or Through Hole | 630V334J.pdf | |
![]() | 752DF50BC20001 | 752DF50BC20001 COXOC SMD or Through Hole | 752DF50BC20001.pdf | |
![]() | CYT6167B | CYT6167B CYT SOT-23-3L | CYT6167B.pdf | |
![]() | HSMS-2800-TR1 TEL:82766440 | HSMS-2800-TR1 TEL:82766440 HP SMD or Through Hole | HSMS-2800-TR1 TEL:82766440.pdf | |
![]() | ERJ8ENF9533V | ERJ8ENF9533V panasonic SMD | ERJ8ENF9533V.pdf |