창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STS11N3LLH5 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 카탈로그 페이지 | 1538 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | STripFET™ V | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 11A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 14m옴 @ 5.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 5nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 724pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 2.7W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SO | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | 497-10310-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STS11N3LLH5 | |
| 관련 링크 | STS11N, STS11N3LLH5 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | 06033J4R0CBTTR | 4.0pF Thin Film Capacitor 25V 0603 (1608 Metric) 0.063" L x 0.032" W (1.60mm x 0.81mm) | 06033J4R0CBTTR.pdf | |
![]() | OCS35 | OCS35 OKE SMD or Through Hole | OCS35.pdf | |
![]() | P2V1209S5 | P2V1209S5 PHI-CON DIP24 | P2V1209S5.pdf | |
![]() | XCV50-4FG256 | XCV50-4FG256 XILINX BGA | XCV50-4FG256.pdf | |
![]() | BA7466 | BA7466 ROHM SOP | BA7466.pdf | |
![]() | SC80C31BCCB | SC80C31BCCB QFP PHILIPS | SC80C31BCCB.pdf | |
![]() | AT24C04N-SI5.0 | AT24C04N-SI5.0 ATMEL SMD or Through Hole | AT24C04N-SI5.0.pdf | |
![]() | 582783-4 | 582783-4 FCI SOT274 | 582783-4.pdf | |
![]() | RJ45PLGOKInet | RJ45PLGOKInet RJPLUGOKInet SMD or Through Hole | RJ45PLGOKInet.pdf | |
![]() | KS74AHCT32N | KS74AHCT32N SAMSUNG DIP | KS74AHCT32N.pdf | |
![]() | 29LV650UE-90TN | 29LV650UE-90TN FUJI TSOP | 29LV650UE-90TN.pdf | |
![]() | UMX-240-D16-G | UMX-240-D16-G RFMD vco | UMX-240-D16-G.pdf |