홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » FET - 단일 » STQ2NK60ZR-AP

STMicroelectronics STQ2NK60ZR-AP

STQ2NK60ZR-AP
제조업체 부품 번호
STQ2NK60ZR-AP
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 600V 0.4A TO-92
데이터 시트 다운로드
다운로드
STQ2NK60ZR-AP 가격 및 조달

가능 수량

12550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 269.83757
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 STQ2NK60ZR-AP 재고가 있습니다. 우리는 STMicroelectronics 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 STMicroelectronics 전자 부품 전문. STQ2NK60ZR-AP 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. STQ2NK60ZR-AP가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
STQ2NK60ZR-AP 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
STQ2NK60ZR-AP 매개 변수
내부 부품 번호EIS-STQ2NK60ZR-AP
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서STF2NK60Z(x)
기타 관련 문서STQ2NK60ZR-AP View All Specifications
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체STMicroelectronics
계열SuperMESH™
포장테이프 및 박스(TB)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)600V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C400mA(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs8옴 @ 700mA, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4.5V @ 50µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs10nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds170pF @ 25V
전력 - 최대3W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA)(성형 리드(Lead))
공급 장치 패키지TO-92-3
표준 포장 2,000
다른 이름497-12345-3
STQ2NK60ZRAP
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)STQ2NK60ZR-AP
관련 링크STQ2NK6, STQ2NK60ZR-AP 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통
STQ2NK60ZR-AP 의 관련 제품
0.011µF Film Capacitor 1000V (1kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.709" L x 0.256" W (18.00mm x 6.50mm) ECW-H10113HVB.pdf
DIODE GEN PURP 50V 3A D5B 1N5415US.pdf
2AJ8-0004 AGILFNT BGA 2AJ8-0004.pdf
ADP1706ACPZG4-REEL7 AD Original ADP1706ACPZG4-REEL7.pdf
TSC87C52WCS-12 INTEL PLCC TSC87C52WCS-12.pdf
MAX805RCSA+T MAX SOP8 MAX805RCSA+T.pdf
S-814A54AUC-BDST2G SII SOT23-5 S-814A54AUC-BDST2G.pdf
RM10FTN1301 TA-I SMD or Through Hole RM10FTN1301.pdf
CD4046BMTG4 TI SOP CD4046BMTG4.pdf
TMS4C87SLC25 ti SMD or Through Hole TMS4C87SLC25.pdf
IPRF110 IR TO-252 IPRF110.pdf