창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STQ1HN60K3-AP | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STQ1HN60K3-AP | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | SuperMESH3™ | |
포장 | 테이프 및 박스(TB) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 400mA(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8옴 @ 600mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 50µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 9.5nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 140pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 3W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA)(성형 리드(Lead)) | |
공급 장치 패키지 | TO-92-3 | |
표준 포장 | 2,000 | |
다른 이름 | 497-13784-3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STQ1HN60K3-AP | |
관련 링크 | STQ1HN6, STQ1HN60K3-AP 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
![]() | MAL213669479E3 | 47µF 100V Aluminum Capacitors Radial, Can 6000 Hrs @ 105°C | MAL213669479E3.pdf | |
![]() | RNF14FTC887R | RES 887 OHM 1/4W 1% AXIAL | RNF14FTC887R.pdf | |
![]() | H486K6BZA | RES 86.6K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | H486K6BZA.pdf | |
![]() | MIOP42114 | MIOP42114 MICROPAC SMD or Through Hole | MIOP42114.pdf | |
![]() | STI5519EVC-BOC | STI5519EVC-BOC ST QFP | STI5519EVC-BOC.pdf | |
![]() | AS0651-01 | AS0651-01 ORIGINAL BGA | AS0651-01.pdf | |
![]() | XC3164A-3PQG160I | XC3164A-3PQG160I XILINX QFP | XC3164A-3PQG160I.pdf | |
![]() | D4216100V-60 | D4216100V-60 NEC ZIP | D4216100V-60.pdf | |
![]() | 72811L15PF | 72811L15PF IDT//TDK TQFP | 72811L15PF.pdf | |
![]() | LT5520EUFPBF | LT5520EUFPBF LTC SMD or Through Hole | LT5520EUFPBF.pdf | |
![]() | DM8511N | DM8511N NS DIP | DM8511N.pdf | |
![]() | 3325 17.664MHZ | 3325 17.664MHZ NDK SMD or Through Hole | 3325 17.664MHZ.pdf |