창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STP9NM50N | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STx9NM50N(-1) | |
| 카탈로그 페이지 | 1535 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 560m옴 @ 3.7A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 570pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 70W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | 497-7537-5 STP9NM50N-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STP9NM50N | |
| 관련 링크 | STP9N, STP9NM50N 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
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![]() | HY6264ALJ-10/70 | HY6264ALJ-10/70 HYUNDAI SOP | HY6264ALJ-10/70.pdf | |
![]() | S6C1355X01-BJE8 | S6C1355X01-BJE8 SAMSUNG SMD or Through Hole | S6C1355X01-BJE8.pdf | |
![]() | CXD1191S | CXD1191S SONY SOP | CXD1191S.pdf | |
![]() | KMY10VB221M6X11LL | KMY10VB221M6X11LL UMITEDCHEMI-CON DIP | KMY10VB221M6X11LL.pdf | |
![]() | 1M110Z 110V | 1M110Z 110V ORIGINAL DO41 | 1M110Z 110V.pdf | |
![]() | DS306-91Y5S470M50 | DS306-91Y5S470M50 MURATA SMD or Through Hole | DS306-91Y5S470M50.pdf | |
![]() | H1UQ3 | H1UQ3 NO 3SOT-23 | H1UQ3.pdf |