창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STP9NK70Z | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STx9NK70Z(FP,-1) | |
| 기타 관련 문서 | STP9NK70Z View All Specifications | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | SuperMESH™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 700V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7.5A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.2옴 @ 4A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 100µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 68nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1370pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 115W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 497-12622-5 STP9NK70Z-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STP9NK70Z | |
| 관련 링크 | STP9N, STP9NK70Z 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | ERJ-12SF1150U | RES SMD 115 OHM 1% 3/4W 2010 | ERJ-12SF1150U.pdf | |
![]() | CMF551K1700BHR6 | RES 1.17K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | CMF551K1700BHR6.pdf | |
![]() | 64LD/TQFP | 64LD/TQFP ORIGINAL TQFP | 64LD/TQFP.pdf | |
![]() | DSB321E 13.0000MHZ | DSB321E 13.0000MHZ ORIGINAL SMD | DSB321E 13.0000MHZ.pdf | |
![]() | GLZ39A | GLZ39A PANJIT LL34 | GLZ39A.pdf | |
![]() | G4BC20 | G4BC20 TO- SMD or Through Hole | G4BC20.pdf | |
![]() | AM2149DCB | AM2149DCB AMD DIP | AM2149DCB.pdf | |
![]() | LT6700HVIS6-3 | LT6700HVIS6-3 LINEAR SOT23 | LT6700HVIS6-3.pdf | |
![]() | MCP2120-I-SL | MCP2120-I-SL MIC SMD or Through Hole | MCP2120-I-SL.pdf | |
![]() | PB8282 | PB8282 NEC DIP | PB8282.pdf | |
![]() | CDT8R2-D-050-NPO | CDT8R2-D-050-NPO N/A SMD or Through Hole | CDT8R2-D-050-NPO.pdf | |
![]() | NJVMJD127T4 | NJVMJD127T4 ONSEMI DPAK-2W | NJVMJD127T4.pdf |