창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STP9NK50Z | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | ST(B,P)9NK50Z(FP,-1) | |
| 기타 관련 문서 | STP9NK50Z View All Specifications | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1535 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | SuperMESH™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7.2A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 850m옴 @ 3.6A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 100µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 32nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 910pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 110W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 497-3203-5 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STP9NK50Z | |
| 관련 링크 | STP9N, STP9NK50Z 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | ECO-S1EP332BA | 3300µF 25V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 161 mOhm @ 120Hz 3000 Hrs @ 85°C | ECO-S1EP332BA.pdf | |
![]() | RCH110BNP-102K | 1mH Unshielded Wirewound Inductor 550mA 1.71 Ohm Max Radial | RCH110BNP-102K.pdf | |
![]() | 8674 | 8674 ORIGINAL TO-92 | 8674.pdf | |
![]() | 201SP | 201SP Infineon SOP8 | 201SP.pdf | |
![]() | RM73H2E183FT | RM73H2E183FT ORIGINAL SMD or Through Hole | RM73H2E183FT.pdf | |
![]() | EPM7064B-TC44-3N | EPM7064B-TC44-3N ALTERA TQFP44 | EPM7064B-TC44-3N.pdf | |
![]() | TXN31115D00000 | TXN31115D00000 INTEL SMD or Through Hole | TXN31115D00000.pdf | |
![]() | R5421N139F-TR(BBS2) | R5421N139F-TR(BBS2) RICOH SOT-26 | R5421N139F-TR(BBS2).pdf | |
![]() | HMBT9014-C | HMBT9014-C ORIGINAL SOT-23 | HMBT9014-C.pdf | |
![]() | 380-00266 | 380-00266 DURATECH SMD or Through Hole | 380-00266.pdf | |
![]() | NTD6415ANLT4 | NTD6415ANLT4 ONS SMD or Through Hole | NTD6415ANLT4.pdf |