창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STP8NM50N | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STx8NM50N | |
| 기타 관련 문서 | STP8NM50N View All Specifications | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ II | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 790m옴 @ 2.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 14nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 364pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 45W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 497-10965-5 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STP8NM50N | |
| 관련 링크 | STP8N, STP8NM50N 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | RAVF164DFT2K40 | RES ARRAY 4 RES 2.4K OHM 1206 | RAVF164DFT2K40.pdf | |
![]() | E3S-5E4S-45 5M | HI GAIN ALARM TRHU-BEAM 5M CBL | E3S-5E4S-45 5M.pdf | |
![]() | ST62T10C06 | ST62T10C06 ST SOP20 | ST62T10C06.pdf | |
![]() | MN150222BA | MN150222BA ORIGINAL DIP | MN150222BA.pdf | |
![]() | PHI200433 | PHI200433 ORIGINAL SOP | PHI200433.pdf | |
![]() | V24B28C200BL | V24B28C200BL VICOR SMD or Through Hole | V24B28C200BL.pdf | |
![]() | 250V1.25A | 250V1.25A ORIGINAL SMD or Through Hole | 250V1.25A.pdf | |
![]() | IP3102L-G02M | IP3102L-G02M ORIGINAL SMD or Through Hole | IP3102L-G02M.pdf | |
![]() | NPC102AP | NPC102AP BB DIP-14 | NPC102AP.pdf | |
![]() | WAC-013-C | WAC-013-C IGT QFP | WAC-013-C.pdf | |
![]() | 74CBTLV3245PG8 | 74CBTLV3245PG8 IDT SMD or Through Hole | 74CBTLV3245PG8.pdf | |
![]() | NJM4151M(TE3) | NJM4151M(TE3) JRC SOP-8 | NJM4151M(TE3).pdf |