창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STP85NF55L | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | ST(B,P)85NF55L | |
기타 관련 문서 | STP85NF55L View All Specifications | |
제품 교육 모듈 | Automotive Grade Transistors and Discretes | |
카탈로그 페이지 | 1535 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | STripFET™ II | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8m옴 @ 40A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 110nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4050pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 300W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 497-7532-5 STP85NF55L-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STP85NF55L | |
관련 링크 | STP85N, STP85NF55L 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
MKP1845433406 | 0.33µF Film Capacitor 220V 400V Polypropylene (PP), Metallized Axial 0.532" Dia x 1.142" L (13.50mm x 29.00mm) | MKP1845433406.pdf | ||
ASCO2-18.432MHZ-LB-T3 | 18.432MHz CMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 1.8V 3mA Enable/Disable | ASCO2-18.432MHZ-LB-T3.pdf | ||
0603R-39NJ | 39nH Unshielded Wirewound Inductor 600mA 250 mOhm Max 2-SMD | 0603R-39NJ.pdf | ||
TWW3JR20E | RES 0.2 OHM 3W 5% RADIAL | TWW3JR20E.pdf | ||
LT4250LIN8#PBF | LT4250LIN8#PBF LINEAR PDIP-8 -40 -125 | LT4250LIN8#PBF.pdf | ||
66250-19/041 | 66250-19/041 CORNELL SMD or Through Hole | 66250-19/041.pdf | ||
L717TSEG09POL2RM8 | L717TSEG09POL2RM8 AMPHENOL SMD or Through Hole | L717TSEG09POL2RM8.pdf | ||
TVS06RF-13-98S | TVS06RF-13-98S BENDIX SMD or Through Hole | TVS06RF-13-98S.pdf | ||
PDTC143TK/52t | PDTC143TK/52t PHI SOT-23 | PDTC143TK/52t.pdf | ||
K4VKRMGAA | K4VKRMGAA SAMSUNG ROHS | K4VKRMGAA.pdf | ||
TL094IN | TL094IN TI DIP-14 | TL094IN.pdf | ||
zxld61p02 | zxld61p02 zetex sot23 | zxld61p02.pdf |