창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STP80NF55L-06 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | ST(B,P)80NF55L-06 | |
기타 관련 문서 | STP80NF55L-06 View All Specifications | |
카탈로그 페이지 | 1535 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | STripFET™ II | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.5m옴 @ 40A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 136nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4850pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 300W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 497-5898-5 STP80NF55L-06-ND STP80NF55L06 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STP80NF55L-06 | |
관련 링크 | STP80NF, STP80NF55L-06 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
![]() | SR075C392KARTR1 | 3900pF 50V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.150" L x 0.100" W(3.81mm x 2.54mm) | SR075C392KARTR1.pdf | |
![]() | CD19FD911GO3F | 910pF Mica Capacitor 500V Radial 0.650" L x 0.209" W (16.50mm x 5.30mm) | CD19FD911GO3F.pdf | |
![]() | SZBZX84C4V7ET1G | DIODE ZENER 4.7V 225MW SOT23-3 | SZBZX84C4V7ET1G.pdf | |
![]() | IMC1812BN100K | 10µH Unshielded Wirewound Inductor 250mA 1.6 Ohm Max 1812 (4532 Metric) | IMC1812BN100K.pdf | |
![]() | MCR25JZHF2321 | RES SMD 2.32K OHM 1% 1/4W 1210 | MCR25JZHF2321.pdf | |
![]() | YC162-FR-07165RL | RES ARRAY 2 RES 165 OHM 0606 | YC162-FR-07165RL.pdf | |
![]() | SE98APW,118 | SE98APW,118 NXPs SMD or Through Hole | SE98APW,118.pdf | |
![]() | Si2323CDS-T | Si2323CDS-T ORIGINAL SMD or Through Hole | Si2323CDS-T.pdf | |
![]() | UF5408G | UF5408G PANJIT DO-201AD | UF5408G.pdf | |
![]() | SBCS-1110-6R8 | SBCS-1110-6R8 NEC DIP | SBCS-1110-6R8.pdf | |
![]() | UC2844BD1R2GO | UC2844BD1R2GO ON SMD or Through Hole | UC2844BD1R2GO.pdf |