창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STP7NM50N | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STx7NM50N(-1) | |
| 카탈로그 페이지 | 1535 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ II | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 780m옴 @ 2.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 400pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 45W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 497-7531-5 STP7NM50N-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STP7NM50N | |
| 관련 링크 | STP7N, STP7NM50N 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | 416F40611AST | 40.61MHz ±10ppm 수정 시리즈 100옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F40611AST.pdf | |
![]() | CPW055R000JB143 | RES 5 OHM 5W 5% AXIAL | CPW055R000JB143.pdf | |
![]() | TC1014-3.3VCT713. | TC1014-3.3VCT713. MICROCHIP SOT23-5 | TC1014-3.3VCT713..pdf | |
![]() | MT5370 SMD | MT5370 SMD ORIGINAL SMD or Through Hole | MT5370 SMD.pdf | |
![]() | F20U20S | F20U20S FAIRCHILD TO263 | F20U20S.pdf | |
![]() | PQ30SC3M | PQ30SC3M ORIGINAL TO-263 | PQ30SC3M.pdf | |
![]() | PE-65795R.01 | PE-65795R.01 ORIGINAL SMD or Through Hole | PE-65795R.01.pdf | |
![]() | NPA-501M-015G | NPA-501M-015G GESensing/NovaSensor SMD or Through Hole | NPA-501M-015G.pdf | |
![]() | TFM-105-02-S-D-A-P-TR | TFM-105-02-S-D-A-P-TR SAMTEC SMD or Through Hole | TFM-105-02-S-D-A-P-TR.pdf | |
![]() | W90N740CDARM | W90N740CDARM AT QFP | W90N740CDARM.pdf | |
![]() | AXK6F18347YG | AXK6F18347YG PANASONIC SMD or Through Hole | AXK6F18347YG.pdf | |
![]() | 63YXG330M16X16 | 63YXG330M16X16 RUBYCON DIP | 63YXG330M16X16.pdf |