창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STP7NK80Z | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | ST(B,P)7NK80Z(-1,FP) | |
| 기타 관련 문서 | STP7NK80Z View All Specifications | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | SuperMESH™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.2A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.8옴 @ 2.6A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 100µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 56nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1138pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 125W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 497-15684-5 STP7NK80Z-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STP7NK80Z | |
| 관련 링크 | STP7N, STP7NK80Z 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | Y1756467R000V9L | RES 467 OHM 2W 0.005% AXIAL | Y1756467R000V9L.pdf | |
![]() | HY23V16251D-018 | HY23V16251D-018 HYNIX DIP | HY23V16251D-018.pdf | |
![]() | SY89809LTH TR | SY89809LTH TR N/A SMD or Through Hole | SY89809LTH TR.pdf | |
![]() | SPP100N06S2-10 | SPP100N06S2-10 INFINEON P-TO220-3-1 | SPP100N06S2-10.pdf | |
![]() | CDZT2R 6.8B | CDZT2R 6.8B ORIGINAL SMD | CDZT2R 6.8B.pdf | |
![]() | HUF75307P3 | HUF75307P3 FSC TO-220 | HUF75307P3.pdf | |
![]() | 1.5KE6V8CA-1.5KE9V1CA | 1.5KE6V8CA-1.5KE9V1CA DIODES DO-201AD | 1.5KE6V8CA-1.5KE9V1CA.pdf | |
![]() | NH82801HH/SL9ML | NH82801HH/SL9ML INTEL SMD or Through Hole | NH82801HH/SL9ML.pdf | |
![]() | K6R4008V1C-TC20T | K6R4008V1C-TC20T SAM SMD or Through Hole | K6R4008V1C-TC20T.pdf | |
![]() | SDR0906TTE122K | SDR0906TTE122K KOA SMD | SDR0906TTE122K.pdf | |
![]() | CK45-B3AD102KYVR | CK45-B3AD102KYVR TDK DIP | CK45-B3AD102KYVR.pdf | |
![]() | P4SMAJ85C | P4SMAJ85C MCC SMA(DO-214AC) | P4SMAJ85C.pdf |