창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STP7N65M2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | ST(P,U)7N65M2 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | MDmesh™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.15옴 @ 2.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 9nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 270pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 60W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220 | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 497-15041-5 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STP7N65M2 | |
관련 링크 | STP7N, STP7N65M2 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
![]() | C0805C222M4RACTU | 2200pF 16V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C0805C222M4RACTU.pdf | |
![]() | HDF3020L12LB | HDF3020L12LB ELN SMD or Through Hole | HDF3020L12LB.pdf | |
![]() | 1210-68K | 1210-68K JAPAN SMD or Through Hole | 1210-68K.pdf | |
![]() | D48223445-60 | D48223445-60 NEC SOP | D48223445-60.pdf | |
![]() | NASDA38510/91401XCR | NASDA38510/91401XCR NEC CDIP28 | NASDA38510/91401XCR.pdf | |
![]() | TPS6204617GQR | TPS6204617GQR TI SMD | TPS6204617GQR.pdf | |
![]() | TRA1-1213 | TRA1-1213 TRACO AC DC | TRA1-1213.pdf | |
![]() | AM9128-10DMB | AM9128-10DMB AMD CDIP | AM9128-10DMB.pdf | |
![]() | J431D-12PL | J431D-12PL MIT QFN-32 | J431D-12PL.pdf | |
![]() | K8P5516UJB-PI4E | K8P5516UJB-PI4E SAMSUNG TSOP | K8P5516UJB-PI4E.pdf | |
![]() | 74AHCT541BQ,115 | 74AHCT541BQ,115 NXP 20-QFN | 74AHCT541BQ,115.pdf | |
![]() | PHE448SB3820JR06 | PHE448SB3820JR06 KEMET SMD or Through Hole | PHE448SB3820JR06.pdf |