창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STP7N60M2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STx7N60M2 | |
| 주요제품 | MDmesh II Plus™ Low Qg Power MOSFETs | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ II Plus | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 950m옴 @ 2.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8.8nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 271pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 60W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 497-13975-5 STP7N60M2-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STP7N60M2 | |
| 관련 링크 | STP7N, STP7N60M2 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | 4445-01K | 10nH Unshielded Toroidal Inductor 3A 20 mOhm Max Radial | 4445-01K.pdf | |
![]() | RT1206CRB07261KL | RES SMD 261K OHM 0.25% 1/4W 1206 | RT1206CRB07261KL.pdf | |
![]() | RG1608N-683-B-T5 | RES SMD 68K OHM 0.1% 1/10W 0603 | RG1608N-683-B-T5.pdf | |
![]() | H41K4BZA | RES 1.40K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | H41K4BZA.pdf | |
![]() | JRC2232A | JRC2232A JRC SOP | JRC2232A.pdf | |
![]() | RPM7137-H9 | RPM7137-H9 ROHM SMD or Through Hole | RPM7137-H9.pdf | |
![]() | SP9316C | SP9316C BB DIP | SP9316C.pdf | |
![]() | JANTXV2N6534 | JANTXV2N6534 N/A NULL | JANTXV2N6534.pdf | |
![]() | P0805E3301B | P0805E3301B VISHAAY SMD | P0805E3301B.pdf | |
![]() | TLC59025IDBQRG4 | TLC59025IDBQRG4 TI SSOP24 | TLC59025IDBQRG4.pdf | |
![]() | MOC8102M | MOC8102M FSC DIP-6 | MOC8102M.pdf | |
![]() | OCP2046QAD | OCP2046QAD OCS SMD or Through Hole | OCP2046QAD.pdf |