창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STP7N105K5 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STx7N105K5 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | SuperMESH5™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1050V(1.05kV) | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2옴 @ 2A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 100µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 17nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 380pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 110W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 497-15279-5 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STP7N105K5 | |
| 관련 링크 | STP7N1, STP7N105K5 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | FK28X5R0J335K | 3.3µF 6.3V 세라믹 커패시터 X5R 방사 0.157" L x 0.098" W(4.00mm x 2.50mm) | FK28X5R0J335K.pdf | |
![]() | CGA4J3X7R1H684K125AB | 0.68µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | CGA4J3X7R1H684K125AB.pdf | |
![]() | F17733152900 | 0.015µF Film Capacitor 253V 630V Polyester, Metallized Axial 0.236" Dia x 0.748" L (6.00mm x 19.00mm) | F17733152900.pdf | |
![]() | SMF17A-HE3-18 | TVS DIODE 17VWM 27.6VC DO-219AB | SMF17A-HE3-18.pdf | |
![]() | M6E-MICRO-DEVKIT | KIT DEVELOPMENT M6E MICRO-LTE | M6E-MICRO-DEVKIT.pdf | |
![]() | UMB8N/B8 | UMB8N/B8 ROHM SMD or Through Hole | UMB8N/B8.pdf | |
![]() | BM10B-PUDSS-TFC | BM10B-PUDSS-TFC JST SMD or Through Hole | BM10B-PUDSS-TFC.pdf | |
![]() | CF632240 | CF632240 omega SMD or Through Hole | CF632240.pdf | |
![]() | RUDMH-SH-112DM | RUDMH-SH-112DM GOODSKY DIP-SOP | RUDMH-SH-112DM.pdf | |
![]() | NJM2146BM TE1 | NJM2146BM TE1 JRC SOP8 | NJM2146BM TE1.pdf | |
![]() | TIM1213-5 | TIM1213-5 Toshiba SMD or Through Hole | TIM1213-5.pdf |