창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STP75N3LLH6 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STx75N3LLH6(-S) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | DeepGATE™, STripFET™ VI | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 75A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.9m옴 @ 37.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 23.8nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2030pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 60W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 497-11336-5 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STP75N3LLH6 | |
| 관련 링크 | STP75N, STP75N3LLH6 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | 416F26033IDT | 26MHz ±30ppm 수정 18pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F26033IDT.pdf | |
| P409CP104M275AH221 | RC EMI Filter 1st Order Low Pass 1 Channel R = 220 Ohms, C = 0.1µF Radial | P409CP104M275AH221.pdf | ||
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![]() | MK5091N | MK5091N MOSTEK DIP18 | MK5091N.pdf | |
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![]() | MBN1200C33A | MBN1200C33A HITACHI SMD or Through Hole | MBN1200C33A.pdf | |
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![]() | N87C5420 | N87C5420 INTEL SMD or Through Hole | N87C5420.pdf | |
![]() | LTC7545ALG#PBF | LTC7545ALG#PBF LinearTechnology SSOP20 | LTC7545ALG#PBF.pdf | |
![]() | EPM7032AELC44-5 | EPM7032AELC44-5 ALTERA SMD or Through Hole | EPM7032AELC44-5.pdf | |
![]() | T509N26TOF | T509N26TOF EUPEC SMD or Through Hole | T509N26TOF.pdf | |
![]() | NE4210SO1 NOPB | NE4210SO1 NOPB NEC SMT | NE4210SO1 NOPB.pdf |