창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STP6N65M2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | ST(F,P,U)6N65M2 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.35옴 @ 2A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 9.8nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 226pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 60W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 497-15040-5 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STP6N65M2 | |
| 관련 링크 | STP6N, STP6N65M2 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | IHSM4825ER102L | 1mH Unshielded Inductor 240mA 6.9 Ohm Max Nonstandard | IHSM4825ER102L.pdf | |
| 1393807-2 | General Purpose Relay DPST (2 Form A) 32VDC Coil Socketable | 1393807-2.pdf | ||
![]() | REF01EZ/CZ/HZ | REF01EZ/CZ/HZ PMI DIP-8 | REF01EZ/CZ/HZ.pdf | |
![]() | MC54HC03F | MC54HC03F MOT SMD or Through Hole | MC54HC03F.pdf | |
![]() | BZV90-C5V1 | BZV90-C5V1 NXP SMD or Through Hole | BZV90-C5V1.pdf | |
![]() | AME8890TEEVL. | AME8890TEEVL. AME SMD or Through Hole | AME8890TEEVL..pdf | |
![]() | B4250CN-25 | B4250CN-25 BAY SOT-223 | B4250CN-25.pdf | |
![]() | IRF7811AIR | IRF7811AIR IR SMD or Through Hole | IRF7811AIR.pdf | |
![]() | PS2561-1-Y | PS2561-1-Y DIP TOSHIBA | PS2561-1-Y.pdf | |
![]() | GN1L4-T1 | GN1L4-T1 NEC SOT-323 | GN1L4-T1.pdf | |
![]() | M27C4002--10F6 | M27C4002--10F6 ST SMD or Through Hole | M27C4002--10F6.pdf | |
![]() | XQV100-4CB228M | XQV100-4CB228M XILINX SMD or Through Hole | XQV100-4CB228M.pdf |