창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STP6N120K3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | ST(FW,P,W)6N120K3 | |
| 기타 관련 문서 | STP6N120K3 View All Specifications | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | SuperMESH3™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1200V(1.2kV) | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.4옴 @ 2.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 100µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 34nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1050pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 150W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 497-12123 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STP6N120K3 | |
| 관련 링크 | STP6N1, STP6N120K3 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | CGA5L2NP02A333J160AA | 0.033µF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | CGA5L2NP02A333J160AA.pdf | |
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![]() | SW06PLR400 | SW06PLR400 Westcode SMD or Through Hole | SW06PLR400.pdf | |
![]() | C637CQW | C637CQW ORIGINAL CLCC | C637CQW.pdf | |
![]() | PRTR5V0U2AX/S911 | PRTR5V0U2AX/S911 NXP SOT89 | PRTR5V0U2AX/S911.pdf | |
![]() | LQG15HS82NJ02K | LQG15HS82NJ02K MURATA SMD or Through Hole | LQG15HS82NJ02K.pdf | |
![]() | MX29LV640EBTI-70G-MXIC | MX29LV640EBTI-70G-MXIC ORIGINAL SMD or Through Hole | MX29LV640EBTI-70G-MXIC.pdf | |
![]() | FQD9N08LTM | FQD9N08LTM FSC TO252 | FQD9N08LTM.pdf | |
![]() | AU5790 | AU5790 NXP SMD or Through Hole | AU5790.pdf | |
![]() | CRT1544 | CRT1544 ORIGINAL TO-3 | CRT1544.pdf |