창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STP60NF10 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STB60NF10(-1), STP60NF10 | |
기타 관련 문서 | STP60NF10 View All Specifications | |
제품 교육 모듈 | Automotive Grade Transistors and Discretes | |
카탈로그 페이지 | 1535 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | STripFET™ II | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 23m옴 @ 40A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 104nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4270pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 300W | |
작동 온도 | - | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 497-4384-5 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STP60NF10 | |
관련 링크 | STP60, STP60NF10 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
![]() | KTR10EZPF2432 | RES SMD 24.3K OHM 1% 1/8W 0805 | KTR10EZPF2432.pdf | |
![]() | BCM7317KPB1P11 | BCM7317KPB1P11 BROADCOM BGA | BCM7317KPB1P11.pdf | |
![]() | MCO25-12io1/MCO25-16io1 | MCO25-12io1/MCO25-16io1 IXYS SOT-227B | MCO25-12io1/MCO25-16io1.pdf | |
![]() | 24026664FC77E3-C | 24026664FC77E3-C MOTOROLA SOP20 | 24026664FC77E3-C.pdf | |
![]() | XDSD2134B1 | XDSD2134B1 ST PLCC | XDSD2134B1.pdf | |
![]() | PSB3531W | PSB3531W SIEMENS DIP | PSB3531W.pdf | |
![]() | 607TEST | 607TEST ORIGINAL QFN | 607TEST.pdf | |
![]() | RM10JTN683 | RM10JTN683 TA-I SMD0805 | RM10JTN683.pdf | |
![]() | DSS-2612-4R7R-LF4 | DSS-2612-4R7R-LF4 ORIGINAL DS1608 | DSS-2612-4R7R-LF4.pdf | |
![]() | 1608GC2T56NJLF | 1608GC2T56NJLF ORIGINAL SMD or Through Hole | 1608GC2T56NJLF.pdf | |
![]() | 306N4FGTFP#UKJ3 | 306N4FGTFP#UKJ3 Renesas 100-QFPM | 306N4FGTFP#UKJ3.pdf | |
![]() | TC7SZ08 | TC7SZ08 Toshiba SMD or Through Hole | TC7SZ08.pdf |