창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STP60N3LH5 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STx60N3LH5 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | STripFET™ V | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 48A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8.4m옴 @ 24A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8.8nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1350pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 60W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 497-10713-5 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STP60N3LH5 | |
| 관련 링크 | STP60N, STP60N3LH5 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | CGA5L3X8R1C335K160AE | 3.3µF 16V 세라믹 커패시터 X8R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | CGA5L3X8R1C335K160AE.pdf | |
![]() | 0MIN004.VP | FUSE AUTO 4A 32VAC/VDC 5PK CARD | 0MIN004.VP.pdf | |
![]() | 1210R-151H | 150nH Unshielded Inductor 910mA 250 mOhm Max 2-SMD | 1210R-151H.pdf | |
![]() | TNPW1206107KBEEA | RES SMD 107K OHM 0.1% 1/4W 1206 | TNPW1206107KBEEA.pdf | |
![]() | ADMP401 | ADMP401 AD LGA | ADMP401.pdf | |
![]() | 14N40FVL | 14N40FVL Intersil TO-263 | 14N40FVL.pdf | |
![]() | LP2902M NOPB | LP2902M NOPB NS SOP-14 | LP2902M NOPB.pdf | |
![]() | A6F | A6F Mot SOT-23 | A6F.pdf | |
![]() | G2R-1A-TDC12BYOMB | G2R-1A-TDC12BYOMB OMRON SMD or Through Hole | G2R-1A-TDC12BYOMB.pdf | |
![]() | DA8737 | DA8737 ORIGINAL SMD or Through Hole | DA8737.pdf | |
![]() | 5962-8866203MA (CY7C199-55KMB) | 5962-8866203MA (CY7C199-55KMB) CY LQPF28 | 5962-8866203MA (CY7C199-55KMB).pdf | |
![]() | HZ7A2TA-N-E-Q | HZ7A2TA-N-E-Q Renesas SMD or Through Hole | HZ7A2TA-N-E-Q.pdf |