창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STP5NK50Z | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STx5NK50Z(FP,-1) | |
기타 관련 문서 | STP5NK50Z View All Specifications | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1535 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | SuperMESH™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.4A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.5옴 @ 2.2A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 50µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 28nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 535pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 70W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 497-3195-5 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STP5NK50Z | |
관련 링크 | STP5N, STP5NK50Z 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
C961U472MYWDAAWL35 | 4700pF 400VAC 세라믹 커패시터 Y5U(E) 방사형, 디스크 0.512" Dia(13.00mm) | C961U472MYWDAAWL35.pdf | ||
Q1A3M-T | Q1A3M-T NEC SMD or Through Hole | Q1A3M-T.pdf | ||
SKSC1008 | SKSC1008 SEMTECH SOT-23 | SKSC1008.pdf | ||
QD8254A | QD8254A INTEL DIP | QD8254A.pdf | ||
CAT6218-240TD-GT3 NOPB | CAT6218-240TD-GT3 NOPB ON SOT153 | CAT6218-240TD-GT3 NOPB.pdf | ||
BTS350V/20 | BTS350V/20 CTTEL SMD or Through Hole | BTS350V/20.pdf | ||
BX80570E8500 SLB9K | BX80570E8500 SLB9K Core SMD or Through Hole | BX80570E8500 SLB9K.pdf | ||
CD4051BM96(PB FREE) | CD4051BM96(PB FREE) N/A N A | CD4051BM96(PB FREE).pdf | ||
PIC563-8R2-MTQ | PIC563-8R2-MTQ RCD SMD | PIC563-8R2-MTQ.pdf | ||
592D336X0006S2T | 592D336X0006S2T VISHAY SMD or Through Hole | 592D336X0006S2T.pdf | ||
RC0603JR-07 9K1L | RC0603JR-07 9K1L YAGEOUSAHK SMD DIP | RC0603JR-07 9K1L.pdf | ||
SS74800-036F | SS74800-036F bel NA | SS74800-036F.pdf |