창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STP5N95K5 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STx5N95K5 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | SuperMESH5™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 950V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.5A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.5옴 @ 1.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 100µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12.5nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 220pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 70W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 497-14283-5 STP5N95K5-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STP5N95K5 | |
| 관련 링크 | STP5N, STP5N95K5 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | SIT8008ACE1-XXE | 1MHz ~ 110MHz HCMOS, LVCMOS MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V 4.5mA Enable/Disable | SIT8008ACE1-XXE.pdf | |
![]() | ERJ-P6WF1782V | RES SMD 17.8K OHM 1% 1/2W 0805 | ERJ-P6WF1782V.pdf | |
![]() | AT1206DRD07124RL | RES SMD 124 OHM 0.5% 1/4W 1206 | AT1206DRD07124RL.pdf | |
![]() | 2SC3310,2SC3345 | 2SC3310,2SC3345 TOS SMD or Through Hole | 2SC3310,2SC3345.pdf | |
![]() | 24Z4687 | 24Z4687 VITEC SMD or Through Hole | 24Z4687.pdf | |
![]() | STRG6965 | STRG6965 SK TO-220 | STRG6965.pdf | |
![]() | TL431 1% | TL431 1% WS SMD or Through Hole | TL431 1%.pdf | |
![]() | NLV25T-470J-P | NLV25T-470J-P TDK SMD or Through Hole | NLV25T-470J-P.pdf | |
![]() | 201358-3 | 201358-3 ORIGINAL NEW | 201358-3.pdf | |
![]() | MCB2012S900KBE | MCB2012S900KBE INPAQ SMD | MCB2012S900KBE.pdf | |
![]() | NCV8570MN280R2G | NCV8570MN280R2G ONsemi DFN-6 | NCV8570MN280R2G.pdf | |
![]() | HE2D827M25050 | HE2D827M25050 SAMWHA SMD or Through Hole | HE2D827M25050.pdf |