창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STP4N62K3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STx(I)4N62K3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | SuperMESH3™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 620V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.8A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.95옴 @ 1.9A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 50µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 14nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 450pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 70W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 497-10651-5 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STP4N62K3 | |
| 관련 링크 | STP4N, STP4N62K3 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
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![]() | CBR08C508A1GAC | 0.50pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | CBR08C508A1GAC.pdf | |
![]() | 105-471GS | 470nH Unshielded Inductor 555mA 310 mOhm Max 2-SMD | 105-471GS.pdf | |
![]() | HCT365 | HCT365 HARRIS SOP16 | HCT365.pdf | |
![]() | MC038ADR2G | MC038ADR2G ON SOP-8 | MC038ADR2G.pdf | |
![]() | K6T4016U3B-TF85T00 | K6T4016U3B-TF85T00 SAMSUNG TSOP | K6T4016U3B-TF85T00.pdf | |
![]() | TLV3702Q1DR | TLV3702Q1DR TI SOP-8 | TLV3702Q1DR.pdf | |
![]() | C1-112REVA/C19283 | C1-112REVA/C19283 ORIGINAL QFP | C1-112REVA/C19283.pdf | |
![]() | WT306 | WT306 ORIGINAL SMD or Through Hole | WT306.pdf | |
![]() | LT1258CS8-3.3V | LT1258CS8-3.3V LINEAR SOP-8 | LT1258CS8-3.3V.pdf | |
![]() | H1620DG | H1620DG MNC SMD or Through Hole | H1620DG.pdf | |
![]() | TL4050A82QDBZR | TL4050A82QDBZR TI SOT23-3 | TL4050A82QDBZR.pdf |