창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STP45N10F7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STx45N10F7 | |
| 제품 교육 모듈 | Low Voltage Power MOSFETs | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | DeepGATE™, STripFET™ VII | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 45A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 18m옴 @ 22.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 25nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1640pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 60W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 497-14573-5 STP45N10F7-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STP45N10F7 | |
| 관련 링크 | STP45N, STP45N10F7 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | MKP383410025JF02I0 | 0.1µF Film Capacitor 125V 250V Polypropylene (PP), Metallized Radial | MKP383410025JF02I0.pdf | |
![]() | ESD8472MUT5G | TVS DIODE 5.3VWM 14VC X3DFN2 | ESD8472MUT5G.pdf | |
![]() | 9C-60.000MAAJ-T | 60MHz ±30ppm 수정 18pF 60옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | 9C-60.000MAAJ-T.pdf | |
![]() | 5745783-3 | 5745783-3 AMPLIMITE/WSI SMD or Through Hole | 5745783-3.pdf | |
![]() | M9-CSP32 | M9-CSP32 ATI BGA | M9-CSP32.pdf | |
![]() | HM1W710PR000H6 | HM1W710PR000H6 FCI SMD or Through Hole | HM1W710PR000H6.pdf | |
![]() | 1N6462JANTX | 1N6462JANTX Microsemi NA | 1N6462JANTX.pdf | |
![]() | BLM18TG102TN1 | BLM18TG102TN1 MURATA SMD or Through Hole | BLM18TG102TN1.pdf | |
![]() | EPM7512AEBC256-10N | EPM7512AEBC256-10N ALTERA BGA | EPM7512AEBC256-10N.pdf | |
![]() | KMQ63VB68RM8X11LL | KMQ63VB68RM8X11LL ORIGINAL DIP | KMQ63VB68RM8X11LL.pdf | |
![]() | L320ML90NI | L320ML90NI AMD BGA | L320ML90NI.pdf | |
![]() | MAX17040K | MAX17040K MAX THINQFN(Dual) | MAX17040K.pdf |