창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STP42N60M2-EP | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | ST(B,P,W)42N60M2-EP | |
| 주요제품 | 600 V MDmesh M2 EP MOSFETs | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ M2 | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 34A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 87m옴 @ 17A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 55nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2370pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 250W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 497-15893-5 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STP42N60M2-EP | |
| 관련 링크 | STP42N6, STP42N60M2-EP 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | 8Z-30.000MAAJ-T | 30MHz ±30ppm 수정 18pF 60옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 8Z-30.000MAAJ-T.pdf | |
![]() | 0603LS-241XJ | 0603LS-241XJ ORIGINAL SMD or Through Hole | 0603LS-241XJ.pdf | |
![]() | F7317841/P | F7317841/P TI BGA | F7317841/P.pdf | |
![]() | 10612-24-9 | 10612-24-9 TYCO SMD or Through Hole | 10612-24-9.pdf | |
![]() | W8360IR | W8360IR WINBOND SSOP | W8360IR.pdf | |
![]() | HSP53-220M | HSP53-220M ORIGINAL 2K | HSP53-220M.pdf | |
![]() | 12V100AH | 12V100AH J-POWER SMD or Through Hole | 12V100AH.pdf | |
![]() | 320573 | 320573 TYCO SMD or Through Hole | 320573.pdf | |
![]() | SNS59 | SNS59 THOMAS SMD or Through Hole | SNS59.pdf | |
![]() | R1160D131B-TR | R1160D131B-TR RICOH SMD or Through Hole | R1160D131B-TR.pdf | |
![]() | MP611 | MP611 DENSO DIP24 | MP611.pdf | |
![]() | MD1151D512P | MD1151D512P NULL DIP-16 | MD1151D512P.pdf |