창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STP3NK90Z | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | ST(D,P)3NK90Z(FP,-1) | |
| 기타 관련 문서 | STP3NK90Z View All Specifications | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | SuperMESH™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 900V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.8옴 @ 1.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 50µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 22.7nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 590pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 90W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 497-12789-5 STP3NK90Z-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STP3NK90Z | |
| 관련 링크 | STP3N, STP3NK90Z 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | RC1218FK-0747RL | RES SMD 47 OHM 1W 1812 WIDE | RC1218FK-0747RL.pdf | |
![]() | SBH92344N-FSAN | SBH92344N-FSAN INFINEOW SMD or Through Hole | SBH92344N-FSAN.pdf | |
![]() | LSC41264OP | LSC41264OP MOT DIP | LSC41264OP.pdf | |
![]() | P87C660X2BBD,157 | P87C660X2BBD,157 NXP SOT389 | P87C660X2BBD,157.pdf | |
![]() | SIR-312STT32 | SIR-312STT32 ROHM TO-92 | SIR-312STT32.pdf | |
![]() | LTV817B(PC817B) | LTV817B(PC817B) ORIGINAL SOP-4 | LTV817B(PC817B).pdf | |
![]() | NFB53630 | NFB53630 AVAGO QFN | NFB53630.pdf | |
![]() | MB91316-113 | MB91316-113 FUJ QFP | MB91316-113.pdf | |
![]() | RPC33150-J | RPC33150-J ORIGINAL SMD or Through Hole | RPC33150-J.pdf | |
![]() | MCR25JZHF3301 | MCR25JZHF3301 ROHM SMD | MCR25JZHF3301.pdf | |
![]() | CAT28F010PA-12 | CAT28F010PA-12 CSI DIP32 | CAT28F010PA-12.pdf |