창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STP3NK60Z | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STx3NK60Z(-1,FP) | |
기타 관련 문서 | STP3NK60Z View All Specifications | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1536 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | SuperMESH™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.4A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.6옴 @ 1.2A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 50µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 11.8nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 311pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 45W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 497-7525-5 STP3NK60Z-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STP3NK60Z | |
관련 링크 | STP3N, STP3NK60Z 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
4379R-222HS | 2.2µH Shielded Inductor 400mA 300 mOhm Max 2-SMD | 4379R-222HS.pdf | ||
NC2EBD-DC6V | General Purpose Relay DPDT (2 Form C) 6VDC Coil Socketable | NC2EBD-DC6V.pdf | ||
NE462M02 | NE462M02 NEC . SOT-89 | NE462M02.pdf | ||
Z2022 | Z2022 SEMITEC SMD or Through Hole | Z2022.pdf | ||
SDA5254-A008 | SDA5254-A008 SIEMENS DIP52 | SDA5254-A008.pdf | ||
EPM8452AQI1603 | EPM8452AQI1603 ALT PQFP | EPM8452AQI1603.pdf | ||
STC2560C0B | STC2560C0B SEIKO SMD or Through Hole | STC2560C0B.pdf | ||
MA8062-H(TX) | MA8062-H(TX) PANASONIC SOD-323 | MA8062-H(TX).pdf | ||
AU9385A21-MAL | AU9385A21-MAL ALCMICOR QFP | AU9385A21-MAL.pdf | ||
SDWB16LD | SDWB16LD MOT SOP | SDWB16LD.pdf | ||
NJM4561N | NJM4561N ORIGINAL SMD or Through Hole | NJM4561N.pdf | ||
HS2006P-06MF-E | HS2006P-06MF-E FUJI SMD or Through Hole | HS2006P-06MF-E.pdf |