창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STP36N55M5 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STx36N55M5 | |
| 기타 관련 문서 | STP36N55M5 View All Specifications | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ V | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 550V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 33A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 80m옴 @ 16.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 62nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2670pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 190W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 497-13275-5 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STP36N55M5 | |
| 관련 링크 | STP36N, STP36N55M5 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
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![]() | 0257003.PXPV**FS-JBL | 0257003.PXPV**FS-JBL N/A SMD or Through Hole | 0257003.PXPV**FS-JBL.pdf | |
![]() | XR2206EA883B | XR2206EA883B XR DIP | XR2206EA883B.pdf | |
![]() | 3CA9D | 3CA9D CHINA a | 3CA9D.pdf | |
![]() | SSC8060GS7 | SSC8060GS7 SSC SMD | SSC8060GS7.pdf | |
![]() | PTL1608-F22NT | PTL1608-F22NT ORIGINAL SMD or Through Hole | PTL1608-F22NT.pdf | |
![]() | S646CY-100MP3 | S646CY-100MP3 ORIGINAL SMD or Through Hole | S646CY-100MP3.pdf | |
![]() | HIP6302C6Z-T | HIP6302C6Z-T infineon SOP | HIP6302C6Z-T.pdf | |
![]() | 908-41300 | 908-41300 AMPHENOL/WSI SMD or Through Hole | 908-41300.pdf |