창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STP35N60DM2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | ||
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STP35N60DM2 | |
비디오 파일 | STMicro's 600 V MDMesh DM2 MOSFETs | Digi-Key Daily | |
주요제품 | 600 V MDMesh™ DM2 MOSFETS | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | MDmesh™ DM2 | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 28A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 110m옴 @ 14A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 54nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2400pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 210W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220 | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 497-16359-5 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STP35N60DM2 | |
관련 링크 | STP35N, STP35N60DM2 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
CDRH4D18CLDNP-101PC | 100µH Shielded Inductor 350mA 962 mOhm Max Nonstandard | CDRH4D18CLDNP-101PC.pdf | ||
![]() | RT1206DRD0718K7L | RES SMD 18.7K OHM 0.5% 1/4W 1206 | RT1206DRD0718K7L.pdf | |
![]() | RCL122539K2FKEG | RES SMD 39.2K OHM 2W 2512 WIDE | RCL122539K2FKEG.pdf | |
![]() | RG2012V-201-P-T1 | RES SMD 200 OHM 0.02% 1/8W 0805 | RG2012V-201-P-T1.pdf | |
![]() | RG3216V-1151-P-T1 | RES SMD 1.15KOHM 0.02% 1/4W 1206 | RG3216V-1151-P-T1.pdf | |
![]() | 204482-2 | 204482-2 AMPERITE SMD or Through Hole | 204482-2.pdf | |
![]() | LT3495EDDB#TRPBF | LT3495EDDB#TRPBF LINEARTECHNOLOGY SMD or Through Hole | LT3495EDDB#TRPBF.pdf | |
![]() | SB154SH-TP | SB154SH-TP AUK 1A | SB154SH-TP.pdf | |
![]() | LTCQH | LTCQH Linear MSOP-10 | LTCQH.pdf | |
![]() | JANS2N5153 | JANS2N5153 o CAN3 | JANS2N5153.pdf | |
![]() | QS8888A-15P | QS8888A-15P QSI DIP-22 | QS8888A-15P.pdf | |
![]() | MTP25N03 | MTP25N03 ONSEMI TO-220 | MTP25N03.pdf |