창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STP35N60DM2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | ||
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STP35N60DM2 | |
| 비디오 파일 | STMicro's 600 V MDMesh DM2 MOSFETs | Digi-Key Daily | |
| 주요제품 | 600 V MDMesh™ DM2 MOSFETS | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ DM2 | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 28A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 110m옴 @ 14A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 54nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2400pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 210W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 497-16359-5 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STP35N60DM2 | |
| 관련 링크 | STP35N, STP35N60DM2 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | UMK325B7475KMHT | 4.7µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | UMK325B7475KMHT.pdf | |
![]() | RT1206BRE078K66L | RES SMD 8.66K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RT1206BRE078K66L.pdf | |
![]() | Y161216R0000C9R | RES SMD 16 OHM 0.25% 0.4W 2512 | Y161216R0000C9R.pdf | |
![]() | CMF5514K300FKR6 | RES 14.3K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF5514K300FKR6.pdf | |
![]() | UA78MR12 | UA78MR12 FAI T0220-4 | UA78MR12.pdf | |
![]() | NQ80001PD | NQ80001PD ORIGINAL BGA | NQ80001PD.pdf | |
![]() | IR3N37 | IR3N37 SHARP DIP-16 | IR3N37.pdf | |
![]() | 50RCS100 | 50RCS100 IR SMD or Through Hole | 50RCS100.pdf | |
![]() | KHB9D0N50F1-U/P | KHB9D0N50F1-U/P KEC SMD or Through Hole | KHB9D0N50F1-U/P.pdf | |
![]() | LT174CT7 | LT174CT7 LINEAR TO220 | LT174CT7.pdf | |
![]() | WM-G-RM-09 | WM-G-RM-09 USI SMD or Through Hole | WM-G-RM-09.pdf | |
![]() | EP2AGX125EF29C7N | EP2AGX125EF29C7N ALTERA BGA | EP2AGX125EF29C7N.pdf |