창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STP35N60DM2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | ||
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STP35N60DM2 | |
| 비디오 파일 | STMicro's 600 V MDMesh DM2 MOSFETs | Digi-Key Daily | |
| 주요제품 | 600 V MDMesh™ DM2 MOSFETS | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ DM2 | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 28A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 110m옴 @ 14A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 54nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2400pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 210W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 497-16359-5 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STP35N60DM2 | |
| 관련 링크 | STP35N, STP35N60DM2 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | C0603C119C5GACTU | 1.1pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | C0603C119C5GACTU.pdf | |
![]() | 08055U2R2CAT2A | 2.2pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.25mm) | 08055U2R2CAT2A.pdf | |
![]() | MCT06030C4703FP500 | RES SMD 470K OHM 1% 1/8W 0603 | MCT06030C4703FP500.pdf | |
![]() | 752125131AP | RES NTWRK 20 RES MULT OHM 12SRT | 752125131AP.pdf | |
![]() | SSCD204 | SSCD204 ZOWE SMD | SSCD204.pdf | |
![]() | MAZS0560HL-(TX) | MAZS0560HL-(TX) PANAsonic 09PB | MAZS0560HL-(TX).pdf | |
![]() | AAT3520IGY-3.08-50-T1 | AAT3520IGY-3.08-50-T1 AAT SMD or Through Hole | AAT3520IGY-3.08-50-T1.pdf | |
![]() | CD5102-330ASI | CD5102-330ASI CHIPSHINE SOT23-3 | CD5102-330ASI.pdf | |
![]() | SA54ARLG | SA54ARLG ON DO-15 | SA54ARLG.pdf | |
![]() | 2W-5.6R | 2W-5.6R ORIGINAL SMD or Through Hole | 2W-5.6R.pdf | |
![]() | OSRAM-EKB-120V420W | OSRAM-EKB-120V420W OSRAM SMD or Through Hole | OSRAM-EKB-120V420W.pdf |