창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STP34N65M5 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STB,I,P,W34N65M5 | |
| 기타 관련 문서 | STP34N65M5 View All Specifications | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ V | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 28A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 110m옴 @ 14A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 62.5nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2700pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 190W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 497-13111-5 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STP34N65M5 | |
| 관련 링크 | STP34N, STP34N65M5 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | BFC237872164 | 0.16µF Film Capacitor 300V 1000V (1kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.220" L x 0.512" W (31.00mm x 13.00mm) | BFC237872164.pdf | |
![]() | 2205AF | 2205AF ITT TSSOP16 | 2205AF.pdf | |
![]() | MAX232ECW | MAX232ECW MAX SOP16 | MAX232ECW.pdf | |
![]() | LLSD103AW | LLSD103AW NXP SOD80 | LLSD103AW.pdf | |
![]() | LT1004LS8-1 2-T1 | LT1004LS8-1 2-T1 LTC SMD or Through Hole | LT1004LS8-1 2-T1.pdf | |
![]() | VC3D4.5K | VC3D4.5K HONEYWELL SMD or Through Hole | VC3D4.5K.pdf | |
![]() | 2SJ179-T1-A | 2SJ179-T1-A NEC SOT-89 | 2SJ179-T1-A.pdf | |
![]() | SG-8002JC-19.6608M-PCBL | SG-8002JC-19.6608M-PCBL SEIKO SMD | SG-8002JC-19.6608M-PCBL.pdf | |
![]() | TPA6110A2EVM | TPA6110A2EVM TI SMD or Through Hole | TPA6110A2EVM.pdf | |
![]() | QBS025ZDANT1H | QBS025ZDANT1H INTLPOWER NA | QBS025ZDANT1H.pdf | |
![]() | AQ6631 | AQ6631 ORIGINAL SMD or Through Hole | AQ6631.pdf |