창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STP33N65M2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STx33N65M2 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ M2 | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 24A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 140m옴 @ 12A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 41.5nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1790pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 190W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 497-15560-5 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STP33N65M2 | |
| 관련 링크 | STP33N, STP33N65M2 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | C0603C273J5RACTU | 0.027µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | C0603C273J5RACTU.pdf | |
![]() | CC1206JRNPOYBN102 | 1000pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | CC1206JRNPOYBN102.pdf | |
![]() | RWM062256R0JA15E1 | RES WIREWOUND 56 OHM 7W | RWM062256R0JA15E1.pdf | |
![]() | AM79C874VI-1L | AM79C874VI-1L AMD QFP | AM79C874VI-1L.pdf | |
![]() | 50MS56R8MEFC6.3X5 | 50MS56R8MEFC6.3X5 RUBYCON SMD or Through Hole | 50MS56R8MEFC6.3X5.pdf | |
![]() | A5396 | A5396 ORIGINAL DIP16 | A5396.pdf | |
![]() | HEC75-48S2P5 | HEC75-48S2P5 P-DUKE SMD or Through Hole | HEC75-48S2P5.pdf | |
![]() | B72220S600K101(S20K60) | B72220S600K101(S20K60) ORIGINAL SMD or Through Hole | B72220S600K101(S20K60).pdf | |
![]() | OT359 | OT359 SI SMD or Through Hole | OT359.pdf | |
![]() | 361R561M063EN2 | 361R561M063EN2 CDE DIP | 361R561M063EN2.pdf | |
![]() | FTA322AR472S-S | FTA322AR472S-S Maruwm DIPnfm | FTA322AR472S-S.pdf | |
![]() | 2SC2719-A | 2SC2719-A NEC SMD or Through Hole | 2SC2719-A.pdf |