창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STP32N65M5 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STx32N65M5 | |
제품 교육 모듈 | 5th Generation High Voltage Mosfet Technology | |
카탈로그 페이지 | 1536 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | MDmesh™ V | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 단종 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 24A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 119m옴 @ 12A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 72nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3320pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 150W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 497-10079-5 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STP32N65M5 | |
관련 링크 | STP32N, STP32N65M5 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
![]() | A151M15X7RF5TAA | 150pF 50V 세라믹 커패시터 X7R 축방향 0.098" Dia x 0.150" L(2.50mm x 3.80mm) | A151M15X7RF5TAA.pdf | |
![]() | RLB0712-121KL | 120µH Unshielded Wirewound Inductor 300mA 450 mOhm Max Radial | RLB0712-121KL.pdf | |
![]() | S1812R-562J | 5.6µH Shielded Inductor 447mA 1 Ohm Max 1812 (4532 Metric) | S1812R-562J.pdf | |
![]() | AMS1085CM-3.3 | AMS1085CM-3.3 ORIGINAL s0t263 | AMS1085CM-3.3 .pdf | |
![]() | MVC0944 | MVC0944 ORIGINAL SMD | MVC0944.pdf | |
![]() | 1N4752AT/B | 1N4752AT/B ST DO-41 | 1N4752AT/B.pdf | |
![]() | R5538B | R5538B RICOH QFN | R5538B.pdf | |
![]() | TA132AP | TA132AP TOSIBA DIP | TA132AP.pdf | |
![]() | LTC4255CGES | LTC4255CGES LIN SOIC | LTC4255CGES.pdf | |
![]() | LP38690MP-5.0 | LP38690MP-5.0 NSC SOT223-5 | LP38690MP-5.0.pdf | |
![]() | SIT8103AI-33TU3-4 | SIT8103AI-33TU3-4 Sitime SMD or Through Hole | SIT8103AI-33TU3-4.pdf | |
![]() | XPT8863 | XPT8863 XPT DIPSOP-16 | XPT8863.pdf |