창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STP32N65M5 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STx32N65M5 | |
| 제품 교육 모듈 | 5th Generation High Voltage Mosfet Technology | |
| 카탈로그 페이지 | 1536 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ V | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 24A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 119m옴 @ 12A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 72nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3320pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 150W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 497-10079-5 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STP32N65M5 | |
| 관련 링크 | STP32N, STP32N65M5 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | 7.2CAV10 | FUSE 7.2KV 10AMP 8" CAV | 7.2CAV10.pdf | |
![]() | IRLR3105PBF | MOSFET N-CH 55V 25A DPAK | IRLR3105PBF.pdf | |
![]() | XQEAWT-00-0000-00000LD50 | LED Lighting XLamp® XQ-E White, Cool 6200K 2.9V 350mA 110° 0606 (1616 Metric) | XQEAWT-00-0000-00000LD50.pdf | |
![]() | 1-1423155-6 | RELAY | 1-1423155-6.pdf | |
![]() | CA5668 | CA5668 CASID SIP-10 | CA5668.pdf | |
![]() | GB309 | GB309 PFS DIP | GB309.pdf | |
![]() | BC546L-B | BC546L-B UTC TO-92 | BC546L-B.pdf | |
![]() | MB86614APFV-G | MB86614APFV-G FUJITSU SMD or Through Hole | MB86614APFV-G.pdf | |
![]() | VIA C3-1.0AGHZ(133X7.5)1.40VSET | VIA C3-1.0AGHZ(133X7.5)1.40VSET VIA BGA | VIA C3-1.0AGHZ(133X7.5)1.40VSET.pdf | |
![]() | ENE3172A | ENE3172A NDK SMD or Through Hole | ENE3172A.pdf | |
![]() | MAX36160AEEP | MAX36160AEEP MAX SMD or Through Hole | MAX36160AEEP.pdf |