창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STP32N65M5 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STx32N65M5 | |
| 제품 교육 모듈 | 5th Generation High Voltage Mosfet Technology | |
| 카탈로그 페이지 | 1536 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ V | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 24A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 119m옴 @ 12A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 72nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3320pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 150W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 497-10079-5 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STP32N65M5 | |
| 관련 링크 | STP32N, STP32N65M5 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0603D200FXBAJ | 20pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D200FXBAJ.pdf | |
![]() | 02183.15M | 02183.15M LITTELFUSE SMD or Through Hole | 02183.15M.pdf | |
![]() | 419DY | 419DY SIX SOP-8 | 419DY.pdf | |
![]() | TDE1898REP | TDE1898REP ST SOP20 | TDE1898REP.pdf | |
![]() | 035ZN1H | 035ZN1H SHARP TO-252-4 | 035ZN1H.pdf | |
![]() | IC-PST9146-T | IC-PST9146-T MITSUMI TO-92 | IC-PST9146-T.pdf | |
![]() | MAX1320ECM | MAX1320ECM MAXIM TQFP48 | MAX1320ECM.pdf | |
![]() | LMK325BJ106KNT | LMK325BJ106KNT TAIYO SMD or Through Hole | LMK325BJ106KNT.pdf | |
![]() | MGF1902B(gr) | MGF1902B(gr) MIT SMD or Through Hole | MGF1902B(gr).pdf | |
![]() | FP2-3VDC | FP2-3VDC AXICOM DIP | FP2-3VDC.pdf |