창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STP315N10F7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STP315N10F7 | |
| 제품 교육 모듈 | Low Voltage Power MOSFETs | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | DeepGATE™, STripFET™ VII | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 180A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.7m옴 @ 60A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 180nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 12800pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 315W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STP315N10F7 | |
| 관련 링크 | STP315, STP315N10F7 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | P51-2000-A-D-I36-4.5V-000-000 | Pressure Sensor 2000 PSI (13789.51 kPa) Absolute Male - 7/16" (11.11mm) UNF 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-2000-A-D-I36-4.5V-000-000.pdf | |
![]() | TISP4350T3BJTR | TISP4350T3BJTR BOURNS SMB | TISP4350T3BJTR.pdf | |
![]() | TPS73130DBVT | TPS73130DBVT TI SOT-23 (DBV) 5 | TPS73130DBVT.pdf | |
![]() | TC5517APL | TC5517APL TOSHIBA DIP-24 | TC5517APL.pdf | |
![]() | MMZ1608S102AT000 | MMZ1608S102AT000 TDK 0603-102 | MMZ1608S102AT000.pdf | |
![]() | MA3130-l | MA3130-l panasonic 23-13v | MA3130-l.pdf | |
![]() | NAWE100M16V4X5.5NBF | NAWE100M16V4X5.5NBF NICC SMT | NAWE100M16V4X5.5NBF.pdf | |
![]() | DAC7625 | DAC7625 ORIGINAL SOP | DAC7625.pdf | |
![]() | A5-A3-RH-A580C | A5-A3-RH-A580C AMBARELLA SMD or Through Hole | A5-A3-RH-A580C.pdf | |
![]() | SIG22-08 | SIG22-08 FUJI SMD or Through Hole | SIG22-08.pdf | |
![]() | DR0406-100K | DR0406-100K Productwell DIP | DR0406-100K.pdf | |
![]() | TD2303E21E | TD2303E21E TAIDIAN SOT89-3 | TD2303E21E.pdf |