창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STP30N65M5 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STx30N65M5 | |
기타 관련 문서 | STP30N65M5 View All Specifications | |
제품 교육 모듈 | 5th Generation High Voltage Mosfet Technology | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1536 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | MDmesh™ V | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 22A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 139m옴 @ 11A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 64nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2880pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 140W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 497-10078-5 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STP30N65M5 | |
관련 링크 | STP30N, STP30N65M5 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
![]() | LT5400BMPMS8E-1#TRPBF | RES ARRAY 4 RES 10K OHM 8TSSOP | LT5400BMPMS8E-1#TRPBF.pdf | |
![]() | RK1631210AZ3 | RK1631210AZ3 ALPS SMD or Through Hole | RK1631210AZ3.pdf | |
![]() | AWT6331RM27Q7 | AWT6331RM27Q7 ANADIGICS SMD or Through Hole | AWT6331RM27Q7.pdf | |
![]() | ATMXT-NOK1-CCU | ATMXT-NOK1-CCU ATMEL BGA | ATMXT-NOK1-CCU.pdf | |
![]() | RJ-6P501 | RJ-6P501 ORIGINAL SMD or Through Hole | RJ-6P501.pdf | |
![]() | EVAAHR15B14 | EVAAHR15B14 Panasonic SMD or Through Hole | EVAAHR15B14.pdf | |
![]() | NRLR821M180V25X35SF | NRLR821M180V25X35SF NICCOMP DIP | NRLR821M180V25X35SF.pdf | |
![]() | SK23D07 | SK23D07 CX SMD or Through Hole | SK23D07.pdf | |
![]() | LTV814D(PC814D) | LTV814D(PC814D) LTV DIP4 | LTV814D(PC814D).pdf | |
![]() | SWCW1808-6R0MT | SWCW1808-6R0MT Sunlord SMD or Through Hole | SWCW1808-6R0MT.pdf | |
![]() | AT49BV041D-SU | AT49BV041D-SU AT SOP | AT49BV041D-SU.pdf | |
![]() | TEMSVB1A226K8R | TEMSVB1A226K8R NEC B | TEMSVB1A226K8R.pdf |