창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STP28NM60ND | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STx28NM60ND | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | FDmesh™ II | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 23A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 150m옴 @ 11.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 62.5nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2090pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 190W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220 | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 497-14196-5 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STP28NM60ND | |
관련 링크 | STP28N, STP28NM60ND 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
CC0805JRNPO9BN331 | 330pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | CC0805JRNPO9BN331.pdf | ||
AT29LV1024-15JC | AT29LV1024-15JC ATMEL PLCC | AT29LV1024-15JC .pdf | ||
0174* | 0174* HONEYWEL CDIP8 | 0174*.pdf | ||
TSM-153JK | TSM-153JK TG-KOREA SMD or Through Hole | TSM-153JK.pdf | ||
SE370C758AFZT | SE370C758AFZT TI PLCC68 | SE370C758AFZT.pdf | ||
MSM6376GS | MSM6376GS OKI QFP64 | MSM6376GS.pdf | ||
L2610CV | L2610CV ST SMD or Through Hole | L2610CV.pdf | ||
HIP7210 | HIP7210 INTERSIL SOP8 | HIP7210.pdf | ||
GRM0335C1H1R4WD01D | GRM0335C1H1R4WD01D MURATA SMD | GRM0335C1H1R4WD01D.pdf | ||
M54HC04K1 | M54HC04K1 ST IC | M54HC04K1.pdf | ||
HA1-24V | HA1-24V ORIGINAL DIP | HA1-24V.pdf | ||
LQH3N271K04M | LQH3N271K04M MURATA SMD or Through Hole | LQH3N271K04M.pdf |