창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STP28N60M2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STx28N60M2 | |
주요제품 | MDmesh II Plus™ Low Qg Power MOSFETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | MDmesh™ II Plus | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 24A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 150m옴 @ 12A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 37nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1370pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 170W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220 | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 497-14220-5 STP28N60M2-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STP28N60M2 | |
관련 링크 | STP28N, STP28N60M2 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
![]() | D181G39U2JH63J5R | 180pF 100V 세라믹 커패시터 U2J 방사형, 디스크 0.394" Dia(10.00mm) | D181G39U2JH63J5R.pdf | |
![]() | 3JQ 4-R TR | FUSE GLASS 4A 350VAC 140VDC 2AG | 3JQ 4-R TR.pdf | |
4448R-124L | Unshielded 2 Coil Inductor Array 200µH Inductance - Connected in Series 50µH Inductance - Connected in Parallel 111 mOhm Max DC Resistance (DCR) - Parallel 1.5A Nonstandard | 4448R-124L.pdf | ||
![]() | LN6206P182PR | LN6206P182PR natlinear SOT-89-3L | LN6206P182PR.pdf | |
![]() | ES18869S | ES18869S ESS N A | ES18869S.pdf | |
![]() | GRL-S-112D | GRL-S-112D GOODSKY DIP-SOP | GRL-S-112D.pdf | |
![]() | EEUFC1J221B | EEUFC1J221B PAN SMD or Through Hole | EEUFC1J221B.pdf | |
![]() | B32522-C3334-K | B32522-C3334-K SM SMD or Through Hole | B32522-C3334-K.pdf | |
![]() | R433 | R433 ORIGINAL DIP-3 | R433.pdf | |
![]() | MSM-93.3 | MSM-93.3 CTC SIP4 | MSM-93.3.pdf | |
![]() | FG2000CV-90 | FG2000CV-90 MIT module | FG2000CV-90.pdf | |
![]() | RW2-0512S | RW2-0512S RECOM DIP16 | RW2-0512S.pdf |