창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STP28N60M2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STx28N60M2 | |
주요제품 | MDmesh II Plus™ Low Qg Power MOSFETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | MDmesh™ II Plus | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 24A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 150m옴 @ 12A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 37nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1370pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 170W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220 | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 497-14220-5 STP28N60M2-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STP28N60M2 | |
관련 링크 | STP28N, STP28N60M2 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
VJ0603D1R8BXCAP | 1.8pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D1R8BXCAP.pdf | ||
416F38413AKR | 38.4MHz ±10ppm 수정 8pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F38413AKR.pdf | ||
SIT8008AI-32-XXE-27.000000Y | OSC XO 27MHZ OE | SIT8008AI-32-XXE-27.000000Y.pdf | ||
RG1608N-1621-B-T5 | RES SMD 1.62KOHM 0.1% 1/10W 0603 | RG1608N-1621-B-T5.pdf | ||
SP3AJT82R0 | RES FUSE 82 OHM 4W 5% AXIAL | SP3AJT82R0.pdf | ||
CARQ | CARQ NO SMD or Through Hole | CARQ.pdf | ||
TC55257CFL-10 | TC55257CFL-10 TOS SOP | TC55257CFL-10.pdf | ||
PTH03020W | PTH03020W TI 10DIP MODULE | PTH03020W.pdf | ||
MDD200/16N1 | MDD200/16N1 IXYS MODUL | MDD200/16N1.pdf | ||
KMB4D5NP55Q | KMB4D5NP55Q KEC SOP-8 | KMB4D5NP55Q.pdf | ||
92Z511DMQB | 92Z511DMQB ORIGINAL DIP | 92Z511DMQB.pdf | ||
VSP9405 | VSP9405 MICRONAS QFP | VSP9405.pdf |