창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STP28N60DM2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | ||
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | ST(B,P,W)28N60DM2 | |
| 비디오 파일 | STMicro's 600 V MDMesh DM2 MOSFETs | Digi-Key Daily | |
| 주요제품 | 600 V MDMesh™ DM2 MOSFETS | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ DM2 | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 21A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 160m옴 @ 10.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 34nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1500pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 170W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 497-16348-5 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STP28N60DM2 | |
| 관련 링크 | STP28N, STP28N60DM2 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
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![]() | W541A | W541A ORIGINAL QFN | W541A.pdf | |
![]() | PT12-21C-TR8 | PT12-21C-TR8 EVERLIGHT ROHS | PT12-21C-TR8.pdf | |
![]() | FH26-21-0.3SHW | FH26-21-0.3SHW HIROSE SMD or Through Hole | FH26-21-0.3SHW.pdf | |
![]() | T1605GATOH-YC12-DB | T1605GATOH-YC12-DB LSI BGA | T1605GATOH-YC12-DB.pdf | |
![]() | SMCJLCE14A-E3 | SMCJLCE14A-E3 Microsemi DO-214AB | SMCJLCE14A-E3.pdf | |
![]() | K9F1G08U0A-JIB0000 | K9F1G08U0A-JIB0000 SAMSUNG SMD or Through Hole | K9F1G08U0A-JIB0000.pdf | |
![]() | ZS0199F7 | ZS0199F7 ORIGINAL QFP | ZS0199F7.pdf | |
![]() | S7DB-12C180 | S7DB-12C180 BEL SMD12 | S7DB-12C180.pdf |